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¥7.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
京电港自营
自营
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DMP2060UFDB-7
-
2 个 P 沟道（双）
标准
20V
3.2A
90 毫欧 @ 2.9A，4.5V
1.4V @ 250µA
18nC @ 8V
881pF @ 10V
1.4W
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥19.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
京电港自营
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DMN4026SSDQ-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
40V
7A
24 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
19.1nC @ 10V
1060pF @ 20V
1.3W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥7.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO
京电港自营
自营
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DMC4029SSD-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
40V
7A，5.1A
24 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
19.1nC @ 10V
1060pF @ 20V
1.3W
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥18.03
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
京电港自营
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ZXMC3F31DN8TA
-
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极，4.5V 驱动
30V
6.8A，4.9A
24 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
12.9nC @ 10V
608pF @ 15V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥12.69
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
京电港自营
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DMTH4007SPD-13
-
2 个 N 沟道（双）
标准
40V
14.2A
8.6 毫欧 @ 17A，10V
4V @ 250µA
41.9nC @ 10V
2026pF @ 30V
2.6W
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.79
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET ARRAY N-CH 60V 7.6A 8SOIC
京电港自营
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DMTH6016LSDQ-13
-
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
7.6A（Ta）
19.5 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
17nC @ 10V
864pF @ 30V
1.4W，1.9W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC
京电港自营
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DI9956T
-
2 个 N 沟道（双）
标准
30V
3.7A
-
-
-
-
2W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥10.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
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DMHC6070LSD-13
-
2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
标准
60V
3.1A，2.4A
100 毫欧 @ 1A，10V
3V @ 250µA
11.5nC @ 10V
731pF @ 20V
1.6W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥10.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO
京电港自营
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DMC4015SSD-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
40V
8.6A，6.2A
15 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
40nC @ 10V
1810pF @ 20V
1.2W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥24.12
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
京电港自营
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DMT3009LDT-7
-
2 N 沟道（双）非对称型
标准
30V
30A
11.1 毫欧 @ 14.4A，10V
3V @ 250µA
20nC @ 15V
1500pF @ 15V
1.2W
表面贴装
V-DFN3030-8（K 类）
8-VDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
京电港自营
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DMC1016UPD-13
-
N 和 P 沟道
标准
12V，20V
9.5A， 8.7A
17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
1.5V @ 250µA
32nC @ 8V
1454pF @ 6V
2.3W
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN
京电港自营
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DMC1029UFDB-7
-
N 和 P 沟道
标准
12V
5.6A，3.8A
29 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
19.6nC @ 8V
914pF @ 6V
1.4W
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
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DMC4050SSDQ-13
N 和 P 沟道互补型
标准
40V
5.3A
45 毫欧 @ 3A，10V
1.8V @ 250µA
37.56nC @ 10V
1790.8pF @ 20V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥18.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
京电港自营
自营
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DMC3028LSDXQ-13
-
N 和 P 沟道
标准
30V
5.5A，5.8A
27 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
13.2nC @ 5V
641pF @ 15V
1.2W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥38.76
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
京电港自营
自营
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ZDM4306NTA
-
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
2A
330 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 1mA
-
350pF @ 25V
3W
表面贴装
SM8
SOT-223-8
剪切带（CT）
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
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ZDM4306NTC
-
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
2A
330 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 1mA
-
350pF @ 25V
3W
表面贴装
SOT-223
SOT-223-8
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.57
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
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DMN2013UFX-7
-
2 N 沟道（双）共漏
逻辑电平门
20V
10A
11.5 毫欧 @ 8.5A，4.5V
1.1V @ 250µA
57.4nC @ 8V
2607pF @ 10V
780mW
表面贴装
W-DFN5020-6
6-VFDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.48
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
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DMP3098LSD-13
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
30V
4.4A
65 毫欧 @ 5A，10V
2.1V @ 250µA
7.8nC @ 10V
336pF @ 25V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥16.47
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
京电港自营
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DMN3015LSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
标准
30V
8.4A（Ta）
15 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 250µA
25.1nC @ 10V
1415pF @ 15V
1.2W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥6.12
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060
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DMC1018UPD-13
N 和 P 沟道
标准
12V，20V
9.5A，6.9A
17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
1.5V @ 250µA
30.4nC @ 8V
1525pF @ 6V
2.3W
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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