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Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
京电港自营
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ZXMD63C02XTA
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
-
130 毫欧 @ 1.7A，4.5V
700mV @ 250µA（最小）
6nC @ 4.5V
350pF @ 15V
1.04W
表面贴装
8-MSOP
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
京电港自营
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DI9945T
-
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
3.5A
100 毫欧 @ 3.5A，10V
-
30nC @ 10V
435pF @ 25V
2W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8
京电港自营
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ZDM4206NTA
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
1A
1 欧姆 @ 1.5A，10V
3V @ 1mA
-
100pF @ 25V
2.75W
表面贴装
SOT-223
SOT-223-8
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
京电港自营
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ZXMD65P03N8TA
-
2 个 P 沟道（双）
标准
30V
3.8A
55 毫欧 @ 4.9A，10V
1V @ 250µA（最小）
25.7nC @ 10V
930pF @ 25V
1.75W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥18.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC
京电港自营
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ZXMP3A17DN8TA
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
30V
3.4A
70 毫欧 @ 3.2A，10V
1V @ 250µA（最小）
15.8nC @ 10V
630pF @ 15V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥13.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
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ZXMC3A16DN8TC
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
4.9A，4.1A
35 毫欧 @ 9A，10V
1V @ 250µA（最小）
17.5nC @ 10V
796pF @ 25V
1.25W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥12.36
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
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ZXMN10A08DN8TA
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
100V
1.6A
250 毫欧 @ 3.2A，10V
2V @ 250µA（最小）
7.7nC @ 10V
405pF @ 50V
1.25W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.97
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
京电港自营
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ZXMP6A16DN8TC
-
2 个 P 沟道（双）
标准
60V
2.9A
85 毫欧 @ 2.9A，10V
1V @ 250µA（最小）
24.2nC @ 10V
1021pF @ 30V
1.25W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI
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DMNH6021SPDQ-13
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
8.2A，32A
25 毫欧 @ 15A，10V
3V @ 250µA
20.1nC @ 10V
1143pF @ 25V
1.5W
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥10.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI
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DMNH6021SPD-13
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
8.2A，32A
25 毫欧 @ 15A，10V
3V @ 250µA
20.1nC @ 10V
1143pF @ 25V
1.5W
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥9.03
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
京电港自营
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DMNH6022SSD-13
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
7.1A，22.6A
27 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
32nC @ 10V
2127pF @ 25V
1.5W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥9.03
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8 T
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DMC4040SSDQ-13
N 和 P 沟道互补型
逻辑电平门
40V
7.5A（Ta）
25 毫欧 @ 3A，10V
1.8V @ 250µA
16nC @ 4.5V
1790pF @ 20V
17.2W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.26
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
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DMP2065UFDB-7
-
2 个 P 沟道
标准
20V
4.5A（Ta）
50 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 250µA
9.1nC @ 4.5V
752pF @ 15V
1.54W
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥4.20
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020
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DMC1030UFDBQ-13
N 和 P 沟道互补型
标准
12V
5.1A
34 毫欧 @ 4.6A，4.5V
1V @ 250µA
23.1nC @ 10V
1003pF @ 6V
1.36W
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
京电港自营
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DMC1229UFDB-7
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
12V
5.6A，3.8A
29 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
19.6nC @ 8V
914pF @ 6V
1.4W
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 20V SOT563
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DMG1016VQ-7
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
870mA，640mA
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 16V
530mW
表面贴装
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
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DMP2160UFDB-7
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
20V
3.8A
70 毫欧 @ 2.8A，4.5V
900mV @ 250µA
6.5nC @ 4.5V
536pF @ 10V
1.4W
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.87
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
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DMC1030UFDB-7
N 和 P 沟道互补型
标准
12V
5.1A（Ta），3.9A（Ta）
34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V
1003pF @ 6V，1028pF @ 6V
1.36W（Ta）
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥3.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020
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DMN3032LFDBQ-13
2 个 N 沟道（双）
标准
30V
6.2A（Ta）
30 毫欧 @ 5.8A，10V
2V @ 250µA
10.6nC @ 10V
500pF @ 15V
1W
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.75
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
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DMN61D8LVTQ-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
630mA
1.8 欧姆 @ 150mA，5V
2V @ 1mA
0.74nC @ 5V
12.9pF @ 12V
820mW
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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