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最大栅极电荷
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¥7.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.3V，10V
3V @ 250µA
74nC @ 10V
3537pF @ 20V
±20V
-
1W（Ta）
7.5 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
16 周
DMN4008LFG-13
-
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥7.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
8.1nC @ 5V
358pF @ 25V
±20V
-
2.2W（Ta）
750 毫欧 @ 2.75A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
16 周
ZXMN20B28KTC
-
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥7.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
3V @ 1mA
-
100pF @ 25V
±20V
-
700mW（Ta）
1 欧姆 @ 1.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
16 周
ZVN4206ASTZ
-
通孔
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.99
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
56.5nC @ 10V
2737pF @ 35V
±20V
-
900mW（Ta）
22 毫欧 @ 7.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
16 周
DMN7022LFG-13
-
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 60V 25A TO252
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
8.8nC @ 10V
492pF @ 25V
±20V
-
2W（Ta）
50 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
8 周
DMNH6042SK3-13
表面贴装
TO-252-4L
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 60V 55A POWERDI
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
19.7nC @ 10V
1016pF @ 30V
±20V
-
1.6W（Ta）, 53W（Tc）
23 毫欧 @ 12A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
16 周
DMNH6021SPS-13
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
京电港自营
自营
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P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，20V
2V @ 250µA
30.7nC @ 10V
1655pF @ 20V
±25V
-
2W（Ta）
16 毫欧 @ 8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
20 周
DMP3035LSS-13
-
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
43.7nC @ 10V
2096pF @ 15V
±20V
-
2.5W（Ta）
9 毫欧 @ 16A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
20 周
DMN3010LSS-13
-
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
2.4V @ 1mA
-
75pF @ 25V
±20V
-
700mW（Ta）
4 欧姆 @ 1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
16 周
ZVN2110ASTZ
-
通孔
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
2.4V @ 1mA
-
75pF @ 18V
±20V
-
700mW（Ta）
2 欧姆 @ 1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
16 周
ZVN2106ASTZ
-
通孔
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
京电港自营
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2N7002DWA-7
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
180mA
6 欧姆 @ 115mA，10V
2.5V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
300mW
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
京电港自营
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DMN2040LSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
7A
26 毫欧 @ 6A，4.5V
1.2V @ 250µA
-
562pF @ 10V
2W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
京电港自营
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DMP57D5UV-7
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
50V
160mA
6 欧姆 @ 100mA，4V
1V @ 250µA
-
29pF @ 25V
400mW
表面贴装
SOT-563
SOT-563，SOT-666
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
京电港自营
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DMN5L06V-7
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
50V
280mA
3 欧姆 @ 200mA，2.7V
1.2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
150mW
表面贴装
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8-SOIC
京电港自营
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DMC3035LSD-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.9A，5A
35 毫欧 @ 6.9A，10V
2.1V @ 250µA
8.6nC @ 10V
384pF @ 15V
2W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
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DMN5L06VAK-7
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
50V
280mA
2 欧姆 @ 50mA，5V
1V @ 250µA
-
50pF @ 25V
250mW
表面贴装
SOT-563
SOT-563，SOT-666
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
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ZXMC3A18DN8TA
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
5.8A，4.8A
25 毫欧 @ 5.8A，10V
1V @ 250µA（最小）
36nC @ 10V
1800pF @ 25V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363
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DMN5L06DW-7
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
50V
280mA
3 欧姆 @ 200mA，2.7V
1.2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
200mW
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC
京电港自营
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ZXMN6A11DN8TC
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
2.5A
120 毫欧 @ 2.5A，10V
1V @ 250µA（最小）
5.7nC @ 10V
330pF @ 40V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
京电港自营
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ZXMN6A09DN8TC
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
4.3A
40 毫欧 @ 8.2A，10V
3V @ 250µA
24.2nC @ 5V
1407pF @ 40V
1.25W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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