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晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
ZXTD4591E6TA
NPN,PNP
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
60V
600mV @ 100mA,1A / 500mV @ 100mA,1A
100nA
100 @ 500mA,5V
1.1W
150MHz
-
MMST6427-7-F
NPN - 达林顿
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
500mA
40V
1.5V @ 500µA,500mA
1µA
20000 @ 100mA,5V
200mW
-
表面贴装
-
DMG6968U-7
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,4.5V
900mV @ 250µA
8.5nC @ 4.5V
151pF @ 10V
±12V
-
1.3W(Ta)
25 毫欧 @ 6.5A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
ZXM62P03E6TA
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
1V @ 250µA
10.2nC @ 10V
330pF @ 25V
±20V
-
625mW(Ta)
150 毫欧 @ 1.6A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
DCX143EH-7
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
4.7k
4.7k
20 @ 10mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
150mW
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DDTA144GE-7-F
PNP - 预偏压
47k
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
-
68 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA(ICBO)
250MHz
150mW
-
ZXMHC10A07T8TA
SM8
SOT-223-8
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
表面贴装
1.3W
-
2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)
标准
100V
1A,800mA
700 毫欧 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
2.9nC @ 10V
138pF @ 60V
DMN5L06DW-7
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
200mW
-
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
50V
280mA
3 欧姆 @ 200mA,2.7V
1.2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
FZT795ATA
PNP
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
500mA
140V
250mV @ 50mA,500mA
100nA
300 @ 10mA,2V
2W
100MHz
表面贴装
-
DCX69-13
PNP
SOT-89-3
TO-243AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
1A
20V
500mV @ 100mA,1A
100nA(ICBO)
85 @ 500mA,1V
1W
200MHz
表面贴装
-
MMDT5401-7-F
2 PNP(双)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
200mA
150V
500mV @ 5mA,50mA
50nA(ICBO)
60 @ 10mA,5V
200mW
300MHz
-
ZVN2110A
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
2.4V @ 1mA
-
75pF @ 25V
±20V
-
700mW(Ta)
4 欧姆 @ 1A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
通孔
-
DMP2021UFDF-7
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
59nC @ 8V
2760pF @ 15V
±8V
-
730mW(Ta)
16 毫欧 @ 7A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
ZXMN3B14FTA
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
700mV @ 250µA
6.7nC @ 4.5V
568pF @ 15V
±12V
-
1W(Ta)
80 毫欧 @ 3.1A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
DDTC142TU-7-F
NPN - 预偏压
-
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
100mA
470
100 @ 1mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
500nA(ICBO)
200MHz
200mW
-
DDTC143TKA-7-F
NPN - 预偏压
-
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
4.7k
100 @ 1mA,5V
300mV @ 250µA,2.5mA
500nA(ICBO)
250MHz
200mW
-
DMN601WKQ-7
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
±20V
-
200mW(Ta)
2 欧姆 @ 500mA,10V
-65°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
-
DZT658-13
NPN
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
-
500mA
400V
500mV @ 10mA,100mA
100nA(ICBO)
40 @ 200mA,10V
1W
50MHz
表面贴装
-
VN10LFTA
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5V,10V
2.5V @ 1mA
-
60pF @ 25V
±30V
-
330mW(Ta)
5 欧姆 @ 500mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
DDC114EH-7
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
10k
10k
30 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
150mW
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
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