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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥5.43
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26
京电港自营
自营
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DMP3098LDM-7
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
7.8nC @ 10V
336pF @ 25V
±20V
-
1.25W（Ta）
65 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥10.38
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
京电港自营
自营
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DCX114EH-7
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
10k
10k
30 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW
SOT-563
SOT-563，SOT-666
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
京电港自营
自营
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DDTC144TUA-7
NPN - 预偏压
-
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
47k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，2.5mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
¥1.44
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
京电港自营
自营
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DDTC143EE-7-F
NPN - 预偏压
4.7k
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
100mA
4.7k
20 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
京电港自营
自营
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DDTA115EKA-7-F
PNP - 预偏压
100k
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
100k
82 @ 5mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥11.04
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP DARL 60V 0.5A SOT23-3
京电港自营
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BCV46TA
PNP - 达林顿
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
500mA
60V
1V @ 100µA，100mA
100nA（ICBO）
10000 @ 100mA，5V
330mW
200MHz
表面贴装
-
¥22.08
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 4.5A SOT89
京电港自营
自营
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ZXTN2011ZTA
NPN
SOT-89-3
TO-243AA
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
4.5A
100V
195mV @ 500mA，5A
50nA（ICBO）
100 @ 2A，2V
2.1W
130MHz
表面贴装
-
¥6.39
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
京电港自营
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DMN3027LFG-13
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1.8V @ 250µA
11.3nC @ 10V
580pF @ 15V
±25V
-
1W（Ta）
18.6 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥3.39
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 50V 2A SOT89-3
京电港自营
自营
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2DA1213O-13
PNP
SOT-89-3
TO-243AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
2A
50V
500mV @ 50mA，1A
100nA（ICBO）
70 @ 500mA，2V
1W
160MHz
表面贴装
-
¥12.69
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
京电港自营
自营
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DMTH4007SPD-13
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
表面贴装
2.6W
-
2 个 N 沟道（双）
标准
40V
14.2A
8.6 毫欧 @ 17A，10V
4V @ 250µA
41.9nC @ 10V
2026pF @ 30V
¥1.98
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT563
京电港自营
自营
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MMDT2907V-7
2 PNP（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
600mA
60V
1.6V @ 50mA，500mA
10nA（ICBO）
100 @ 150mA，10V
150mW
200MHz
-
¥9.90
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 0.25A SOT323
京电港自营
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DMP32D4SW-7
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
1.2nC @ 10V
51.16pF @ 15V
±20V
-
300mW（Ta）
2.4 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥5.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
京电港自营
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DMT5015LFDF-7
6-UDFN2020（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
14nC @ 10V
902.7pF @ 25V
±16V
-
820mW（Ta）
15 毫欧 @ 8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
京电港自营
自营
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DMN3730UFB-7
3-DFN
3-UFDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
950mV @ 250µA
1.6nC @ 4.5V
64.3pF @ 25V
±8V
-
470mW（Ta）
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥1.44
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
京电港自营
自营
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DMN26D0UT-7
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，4.5V
1V @ 250µA
-
14.1pF @ 15V
±10V
-
300mW（Ta）
3 欧姆 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥1.80
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
京电港自营
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DDA114EU-7-F
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
10k
10k
30 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥6.99
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
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DDTC143FCA-7-F
NPN - 预偏压
22k
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
100mA
4.7k
68 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
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DDTB122TU-7
PNP - 预偏压
-
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
500mA
220
100 @ 5mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA（ICBO）
200MHz
200mW
-
¥1.02
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
京电港自营
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DDTB143TC-7-F
PNP - 预偏压
-
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
500mA
4.7k
100 @ 5mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA（ICBO）
200MHz
200mW
-
¥8.34
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 40V 0.6A SOT-223
京电港自营
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DZT2222A-13
NPN
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
-
600mA
40V
1V @ 50mA，500mA
10nA（ICBO）
100 @ 150mA，10V
1W
300MHz
表面贴装
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