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晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
DMP2215L-7
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
1.25V @ 250µA
5.3nC @ 4.5V
250pF @ 10V
±12V
-
1.08W(Ta)
100 毫欧 @ 2.7A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
DMP4015SSS-13
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
47.5nC @ 5V
4234pF @ 20V
±25V
-
1.45W(Ta)
11 毫欧 @ 9.8A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
DMN3033LDM-7
SOT-26
SOT-23-6
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
13nC @ 10V
755pF @ 10V
±20V
-
2W(Ta)
33 毫欧 @ 6.9A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
DMP2066LDMQ-7
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
10.1nC @ 4.5V
820pF @ 15V
±12V
-
1.25W(Ta)
40 毫欧 @ 4.6A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
DDC143TU-7-F
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
4.7k
-
100 @ 1mA,5V
300mV @ 250µA,2.5mA
-
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DDTA143ZE-7-F
PNP - 预偏压
47k
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
4.7k
80 @ 10mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
500nA
250MHz
150mW
-
DDTA142TU-7
PNP - 预偏压
-
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
470
100 @ 1mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
500nA(ICBO)
200MHz
200mW
-
DDTA144TUA-7-F
PNP - 预偏压
-
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
100mA
47k
100 @ 1mA,5V
300mV @ 250µA,2.5mA
500nA(ICBO)
250MHz
200mW
-
DDTC144EKA-7-F
NPN - 预偏压
47k
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
47k
68 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
200mW
-
DXTP19020DP5-13
PNP
PowerDI™ 5
PowerDI™ 5
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
8A
20V
275mV @ 800mA,8A
50nA(ICBO)
300 @ 100mA,2V
3W
176MHz
表面贴装
-
ZTX560
PNP
E-Line(TO-92 兼容)
E-Line-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
150mA
500V
500mV @ 10mA,50mA
100nA
80 @ 50mA,10V
1W
60MHz
通孔
-
DDTC113ZE-7
NPN - 预偏压
10k
SOT-523
SOT-523
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
1k
33 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
150mW
-
DDTA124TE-7-F
PNP - 预偏压
-
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
100mA
22k
100 @ 1mA,5V
300mV @ 500µA,5mA
500nA(ICBO)
250MHz
150mW
-
2DC4617S-7-F
NPN
SOT-523
SOT-523
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
150mA
50V
400mV @ 5mA,50mA
100nA(ICBO)
270 @ 1mA,6V
150mW
180MHz
表面贴装
-
FZT796ATA
PNP
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
500mA
200V
300mV @ 20mA,200mA
100nA(ICBO)
300 @ 10mA,10V
2W
100MHz
表面贴装
-
ZTX1051A
NPN
E-Line(TO-92 兼容)
E-Line-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
4A
40V
210mV @ 100mA,4A
10nA
300 @ 1A,2V
1W
155MHz
通孔
-
ZUMT2369ATA
NPN
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
200mA
15V
-
-
-
-
-
表面贴装
-
DMN2023UCB4-7
X1-WLB1818-4
4-XFBGA,WLBGA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
表面贴装
1.45W
-
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
-
-
-
-
29nC @ 4.5V
-
ZXTDAM832TA
2 NPN(双)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
4.5A
15V
280mV @ 50mA,4.5A
25nA
200 @ 3A,2V
1.7W
120MHz
-
ZVN4210ASTZ
E-Line(TO-92 兼容)
E-Line-3
带盒(TB)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5V,10V
2.4V @ 1mA
-
100pF @ 25V
±20V
-
700mW(Ta)
1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
通孔
-
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