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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
原厂标准交货期
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥2.46
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
京电港自营
自营
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DMP3098L-7
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
-
336pF @ 25V
±20V
-
1.08W（Ta）
70 毫欧 @ 3.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
8 周
¥7.05
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK
京电港自营
自营
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ZXMN10A11KTC
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
4V @ 250µA
5.4nC @ 10V
274pF @ 50V
±20V
-
2.11W（Ta）
350 毫欧 @ 2.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
16 周
¥6.75
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 40V 1A SOT223
京电港自营
自营
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FZT491ATA
NPN
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
40V
500mV @ 100mA，1A
100nA
300 @ 500mA，5V
2W
150MHz
表面贴装
-
¥1.44
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
京电港自营
自营
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DDTA123YE-7-F
PNP - 预偏压
10k
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
2.2k
33 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
150mW
-
16 周
¥29.07
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 100V 3.5A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX953
PNP
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
3.5A
100V
330mV @ 400mA，4A
50nA（ICBO）
100 @ 1A，1V
1.2W
125MHz
通孔
-
¥5.40
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
京电港自营
自营
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MMBTA14-7-F
NPN - 达林顿
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
300mA
30V
1.5V @ 100µA，100mA
100nA（ICBO）
20000 @ 100mA，5V
300mW
125MHz
表面贴装
-
12 周
¥8.73
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 70V 2A SOT-223
京电港自营
自营
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FZT792ATA
PNP
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2A
70V
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
300 @ 10mA，2V
2W
160MHz
表面贴装
-
¥9.90
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
京电港自营
自营
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DDA113TU-7-F
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
1k
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 1mA，10mA
-
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.44
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
京电港自营
自营
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DDTA113TE-7-F
PNP - 预偏压
-
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
1k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 1mA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
150mW
-
16 周
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
京电港自营
自营
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DDTA122LE-7
PNP - 预偏压
10k
SOT-523
SOT-523
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
220
56 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
200MHz
150mW
-
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8
京电港自营
自营
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ZDM4206NTA
SOT-223
SOT-223-8
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
2.75W
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
1A
1 欧姆 @ 1.5A，10V
3V @ 1mA
-
100pF @ 25V
¥33.81
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
京电港自营
自营
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DMG9N65CT
TO-220AB
TO-220-3
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
5V @ 250µA
39nC @ 10V
2310pF @ 25V
±30V
-
165W（Tc）
1.3 欧姆 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
通孔
-
8 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
京电港自营
自营
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DMN2011UFDF-7
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
56nC @ 10V
2248pF @ 10V
±12V
-
2.1W（Ta）
9.5 毫欧 @ 7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 25V 2A SM8
京电港自营
自营
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ZDT749TC
2 PNP（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2A
25V
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
100 @ 1A，2V
2.75W
160MHz
-
¥13.32
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
京电港自营
自营
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DMN2020UFCL-7
X1-DFN1616-6（E 类）
6-PowerUFDFN
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
21.5nC @ 4.5V
1788pF @ 10V
±10V
-
610mW（Ta）
14 毫欧 @ 9A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
16 周
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
京电港自营
自营
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DDTC144EUA-7
NPN - 预偏压
47k
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
47k
68 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥9.30
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 100V 5A SOT223
京电港自营
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ZXTP2013GTA
PNP
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
5A
100V
340mV @ 400mA，4A
20nA（ICBO）
100 @ 1A，1V
3W
125MHz
表面贴装
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
京电港自营
自营
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DDTA114GKA-7-F
PNP - 预偏压
10k
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
-
30 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
¥4.32
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 120V 0.8A SOT89
京电港自营
自营
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2DA1201Y-7
PNP
SOT-89
TO-243AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
800mA
120V
1V @ 50mA，500mA
100nA
120 @ 100mA，5V
1.5W
160MHz
表面贴装
-
16 周
¥11.04
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 120V 1A SOT23-3
京电港自营
自营
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FMMT494TA
NPN
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
120V
300mV @ 50mA，500mA
100nA
100 @ 250mA，10V
500mW
100MHz
表面贴装
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