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晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
原产地
基底电阻器
发射极基底电阻器
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
电压测试
额定电流
电流测试
功率输出
电压额定
封装外壳
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
自营
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200MHz
200mW
100 @ 5mA，5V
500mA
DDTB122TU-7
PNP - 预偏压
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
220
-
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA（ICBO）
询价
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
京电港自营
自营
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12GHz
0.3dB
12.5dB
NE3515S02-T1C-A
HFET
S02
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2V
88mA
10mA
14dBm
4V
4-SMD，扁平引线
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT563
京电港自营
自营
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NST3946DXV6T1
-
NPN，PNP
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
200mA
40V
300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
500mW
300MHz，250MHz
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
京电港自营
自营
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250MHz
150mW
56 @ 10mA，5V
100mA
DDTA144WE-7-F
PNP - 预偏压
SOT-523
SOT-523
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
47k
22k
300mV @ 500µA，10mA
500nA
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
京电港自营
自营
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表面贴装
MMBT4126-7
-
PNP
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
200mA
25V
400mV @ 5mA，50mA
50nA（ICBO）
120 @ 2mA，1V
300mW
250MHz
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
京电港自营
自营
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250MHz
200mW
30 @ 10mA，5V
100mA
DDTC143XUA-7
NPN - 预偏压
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
4.7k
10k
300mV @ 500µA，10mA
500nA
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
京电港自营
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DMMT3904W-7
-
2 NPN（双）配对
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
200mA
40V
300mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
200mW
300MHz
-
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6
京电港自营
自营
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200mW
表面贴装
BSS138DW-7
-
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
50V
200mA
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
50pF @ 10V
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
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NSBA114TDXV6T1
-
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
160 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
500mW
SOT-563
SOT-563，SOT-666
剪切带（CT）
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN 10V 70A ECSP1006-3
京电港自营
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7GHz
100mW
120 @ 20mA，5V
70mA
150°C（TJ）
表面贴装
EC3H02BA-TL-H
-
NPN
3-ECSP1006
3-XFDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
京电港自营
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250MHz
150mW
100 @ 1mA，5V
100mA
DDTC144TE-7
NPN - 预偏压
SOT-523
SOT-523
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
47k
-
300mV @ 250µA，2.5mA
500nA（ICBO）
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
京电港自营
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250MHz
200mW
56 @ 5mA，5V
100mA
DDTC124GKA-7-F
NPN - 预偏压
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
-
22k
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANSISTOR NPN 15V 200MA SC70-3
京电港自营
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表面贴装
ZUMT2369ATA
-
NPN
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
200mA
15V
-
-
-
-
-
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 15V 4.5A 8MLP
京电港自营
自营
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ZXTDAM832TA
-
2 NPN（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4.5A
15V
280mV @ 50mA，4.5A
25nA
200 @ 3A，2V
1.7W
120MHz
-
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
京电港自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
ZXMN10A25K
-
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
4V @ 250µA
17.16nC @ 10V
859pF @ 50V
±20V
-
2.11W（Ta）
125 毫欧 @ 2.9A，10V
-
询价
TRANS NPN 1GHZ SOT-23
京电港自营
自营
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7GHz
1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
9dB
200mW
50 @ 20mA，10V
100mA
150°C（TJ）
表面贴装
NE85633-T1B
NPN
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
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MUN5234DW1T1G
-
2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
250mW
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563
京电港自营
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BC847CDXV6T5G
-
2 NPN（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
45V
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
500mW
100MHz
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
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200MHz
200mW
100 @ 5mA，5V
500mA
DDTB122TU-7-F
PNP - 预偏压
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
220
-
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA（ICBO）
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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250MHz
200mW
20 @ 10mA，5V
100mA
DDTC143ECA-7
NPN - 预偏压
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
4.7k
4.7k
300mV @ 500µA，10mA
500nA

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