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DAWIN Electronics
SGX Sensortech
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Bourns 5.0SMDJ20A UJT 晶体管, 5000 (Minimum) W, 2引脚 DO-214AB (SMC)封装
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Bourns 5.0SMDJ20A UJT 晶体管, 5000 (Minimum) W, 2引脚 DO-214AB (SMC)封装
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CONN IC DIP SOCKET 6POS GOLD
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8.82
CONN IC DIP SOCKET 10POS GOLD
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CONN IC DIP SOCKET 4POS GOLD
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6.66
CONN IC DIP SOCKET 4POS GOLD
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 20V 2.5A 8MSOP
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AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 440V 20A 125W DPAK
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 20V 4.5A SOT23-3
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IC AMP RF LNA 13.5DB S02
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN VHF/UHF SS 25V TO-92
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 18V 1A SOT363
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
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RF TRANSISTOR NPN SOT-89
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AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 400V 8SOP
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
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产品图片
产品详情
频率
噪声系数
增益
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
基底电阻器
发射极基底电阻器
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
电压测试
额定电流
电流测试
功率输出
电压额定
封装外壳
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型号
ZXT12P20DXTC
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 20V 2.5A 8MSOP
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2 PNP(双)
ZXT12P20DXTC
-
20V
2.5A
1.04W
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
200mV @ 125mA,2.5A
100nA
300 @ 1A,2V
110MHz
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型号
NGD8201NT4
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AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 440V 20A 125W DPAK
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NGD8201NT4
-
-
440V
20A
50A
1.9V @ 4.5V,20A
125W
-
逻辑
-/5µs
300V,9A,1 千欧,5V
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
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型号
MUN5134DW1T1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5134DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
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另提供行业标准包装
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型号
DDTA143XUA-7
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
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250MHz
200mW
30 @ 10mA,5V
100mA
PNP - 预偏压
DDTA143XUA-7
SOT-323
SC-70,SOT-323
剪切带(CT)
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4.7k
10k
300mV @ 500µA,10mA
500nA
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型号
ZXTN25020CFHTA
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 20V 4.5A SOT23-3
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NPN
ZXTN25020CFHTA
-
20V
4.5A
1.25W
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Digi-Reel® 得捷定制卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
140mV @ 450mA,4.5A
50nA(ICBO)
200 @ 10mA,2V
185MHz
¥
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另提供行业标准包装
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型号
NE3511S02-T1C-A
询价
IC AMP RF LNA 13.5DB S02
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12GHz
0.3dB
13.5dB
HFET
NE3511S02-T1C-A
S02
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2V
70mA
10mA
-
4V
4-SMD,扁平引线
¥
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另提供行业标准包装
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型号
NSBA144EDXV6T5
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA144EDXV6T5
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
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另提供行业标准包装
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型号
MPSH10RLRPG
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN VHF/UHF SS 25V TO-92
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650MHz
350mW
60 @ 4mA,10V
-
NPN
MPSH10RLRPG
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
带盒(TB)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
0.00
另提供行业标准包装
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型号
DVR1V8W-7
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 18V 1A SOT363
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NPN 齐纳二极管(隔离式)
DVR1V8W-7
-
18V
1A
200mW
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
500mV @ 30mA,300mA
1µA(ICBO)
150 @ 100mA,1V
100MHz
¥
0.00
另提供行业标准包装
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型号
DDTC114GKA-7-F
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
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250MHz
200mW
30 @ 5mA,5V
100mA
NPN - 预偏压
DDTC114GKA-7-F
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
10k
300mV @ 500µA,10mA
500nA(ICBO)
¥
0.00
另提供行业标准包装
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型号
NE461M02-AZ
询价
RF TRANSISTOR NPN SOT-89
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-
1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
8.3dB
2W
60 @ 50mA, 10V
250mA
NPN
NE461M02-AZ
150°C(TJ)
表面贴装
SOT-89
TO-243AA
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
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另提供行业标准包装
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型号
TIG066SS-TL-E
询价
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 400V 8SOP
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对比
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TIG066SS-TL-E
-
-
400V
-
150A
5V @ 4V,150A
-
-
标准
-
-
150°C(TJ)
表面贴装
8-SOP
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
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另提供行业标准包装
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型号
MUN5232DW1T1
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
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2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
15 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5232DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
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另提供行业标准包装
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型号
MBT3906DW1T1
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
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2 PNP(双)
MBT3906DW1T1
-
40V
200mA
150mW
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
250MHz
¥
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另提供行业标准包装
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型号
DDTC143XE-7
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
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250MHz
150mW
30 @ 10mA,5V
100mA
NPN - 预偏压
DDTC143XE-7
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4.7k
10k
300mV @ 500µA,10mA
500nA
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型号
NSBC124XPDXV6T5G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC124XPDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
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型号
NSBC143EDXV6T1
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
15 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC143EDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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型号
DDTD142JU-7
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
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200MHz
200mW
56 @ 50mA,5V
500mA
NPN - 预偏压
DDTD142JU-7
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
470
10k
300mV @ 2.5mA,50mA
500nA
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型号
DDTC144WE-7-F
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
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250MHz
150mW
56 @ 5mA,5V
100mA
NPN - 预偏压
DDTC144WE-7-F
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
47k
22k
300mV @ 500µA,10mA
500nA
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型号
DDTA123TKA-7-F
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
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200mW
100 @ 1mA,5V
100mA
PNP - 预偏压
DDTA123TKA-7-F
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2.2k
-
300mV @ 500µA,5mA
500nA(ICBO)
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