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DAWIN Electronics
SGX Sensortech
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Bourns 5.0SMDJ20A UJT 晶体管, 5000 (Minimum) W, 2引脚 DO-214AB (SMC)封装
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Bourns 5.0SMDJ20A UJT 晶体管, 5000 (Minimum) W, 2引脚 DO-214AB (SMC)封装
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CONN IC DIP SOCKET 6POS GOLD
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8.82
CONN IC DIP SOCKET 10POS GOLD
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CONN IC DIP SOCKET 4POS GOLD
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6.66
CONN IC DIP SOCKET 4POS GOLD
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V 35A ATPAK
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN DARL 120V 1A SM8
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Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553
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AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPO 30MA 10V SMCP
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
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Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
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RF TRANSISTOR NPN SOT-89
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 300V 0.5A SM8
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
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产品图片
产品详情
频率
噪声系数
增益
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
工作温度
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
基底电阻器
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
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型号
ATP212-TL-H
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V 35A ATPAK
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ATP212-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
35A(Ta)
4V,10V
-
34.5nC @ 10V
1820pF @ 20V
40W(Tc)
23 毫欧 @ 18A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
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型号
DDTA142JE-7-F
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
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200MHz
150mW
56 @ 10mA,5V
100mA
PNP - 预偏压
10k
DDTA142JE-7-F
SOT-523
SOT-523
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
470
300mV @ 250µA,5mA
500nA
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型号
DDTB122LC-7
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
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200MHz
200mW
56 @ 50mA,5V
500mA
PNP - 预偏压
10k
DDTB122LC-7
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
220
300mV @ 2.5mA,50mA
500nA
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型号
ZDT605TC
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN DARL 120V 1A SM8
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2 NPN 达林顿(双)
ZDT605TC
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1A
120V
1.5V @ 1mA,1A
10µA
2000 @ 1A,5V
2.75W
150MHz
¥
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型号
ZXMC3A17DN8TC
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Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
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1.25W
ZXMC3A17DN8TC
-
4.1A,3.4A
表面贴装
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
50 毫欧 @ 7.8A,10V
1V @ 250µA(最小)
12.2nC @ 10V
600pF @ 25V
¥
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另提供行业标准包装
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型号
EMA6DXV5T1
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553
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2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
230mW
-
EMA6DXV5T1
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
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型号
2SC5277A-2-TL-E
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPO 30MA 10V SMCP
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8GHz
100mW
90 @ 10mA,5V
30mA
-
NPN
2SC5277A-2-TL-E
-
表面贴装
SMCP
SC-75,SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
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另提供行业标准包装
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型号
DDTA143TE-7
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
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250MHz
150mW
100 @ 1mA,5V
100mA
PNP - 预偏压
-
DDTA143TE-7
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4.7k
300mV @ 250µA,2.5mA
500nA(ICBO)
¥
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型号
DDTC143TKA-7-F
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
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250MHz
200mW
100 @ 1mA,5V
100mA
NPN - 预偏压
-
DDTC143TKA-7-F
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4.7k
300mV @ 250µA,2.5mA
500nA(ICBO)
¥
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另提供行业标准包装
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型号
ZDM4306NTC
询价
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
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3W
ZDM4306NTC
-
2A
表面贴装
SOT-223
SOT-223-8
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 N 沟道(双)
标准
60V
330 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 1mA
-
350pF @ 25V
¥
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另提供行业标准包装
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型号
NE46134-T1-AZ
询价
RF TRANSISTOR NPN SOT-89
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5.5GHz
1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
7dB
2W
40 @ 50mA,10V
250mA
150°C(TJ)
NPN
NE46134-T1-AZ
表面贴装
SOT-89
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
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另提供行业标准包装
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型号
BC857CDW1T1
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
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2 PNP(双)
BC857CDW1T1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
45V
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
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型号
DDTA125TCA-7-F
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
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250MHz
200mW
100 @ 1mA,5V
100mA
PNP - 预偏压
-
DDTA125TCA-7-F
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
200k
300mV @ 50µA,500µA
500nA(ICBO)
¥
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型号
DDTA143XCA-7
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
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250MHz
200mW
30 @ 10mA,5V
100mA
PNP - 预偏压
10k
DDTA143XCA-7
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4.7k
300mV @ 500µA,10mA
500nA
¥
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另提供行业标准包装
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型号
ZDT6757TA
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 300V 0.5A SM8
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NPN,PNP
ZDT6757TA
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
500mA
300V
500mV @ 10mA,100mA
100nA(ICBO)
50 @ 100mA,5V
2.75W
30MHz
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型号
NSBA124EDXV6T1
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA124EDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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型号
MSC2295-BT1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59
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150MHz
200mW
70 @ 1mA,10V
30mA
150°C(TJ)
NPN
MSC2295-BT1G
-
表面贴装
SC-59
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
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另提供行业标准包装
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型号
DDA114EU-7
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
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2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
10k
10k
30 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
200mW
-
DDA114EU-7
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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型号
DDTA143FUA-7
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
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250MHz
200mW
68 @ 10mA,5V
100mA
PNP - 预偏压
22k
DDTA143FUA-7
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4.7k
300mV @ 500µA,10mA
500nA
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DDTC113ZUA-7
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
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250MHz
200mW
33 @ 5mA,5V
100mA
NPN - 预偏压
10k
DDTC113ZUA-7
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
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含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1k
300mV @ 500µA,10mA
500nA
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