|
|
CY8C4014PVI-412 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
20 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
MB9BF218SPMC-GE1 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
144MHz |
CSIO，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，UART/USART，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
122 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 24x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
144-LQFP |
144-LQFP（20x20） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
|
S6E2H14E0AGV20000 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
63 |
288KB（288K x 8） |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 16x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
80-LQFP |
80-LQFP（12x12） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
21 周 |
|
|
CY8C4014SXS-421 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
13 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
16-SOIC |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
17 周 |
|
|
MB9AFB44NBBGL-GE1 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
40MHz |
CSIO，EBI/EMI，I²C，UART/USART，USB |
DMA，LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
83 |
288KB（288K x 8） |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 24x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
112-LFBGA |
112-PFBGA（10x10） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C5488AXI-LP120 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
62 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 1x12b，D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
100-TQFP（14x14） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
CY8C20224-12LKXIT |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C，SPI |
LVD，POR，WDT |
12 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
16-UFQFN |
16-QFN（3x3） |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
MB9AFB44NBPMC-G-JNE2 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
40MHz |
CSIO，EBI/EMI，I²C，UART/USART，USB |
DMA，LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
83 |
288KB（288K x 8） |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 24x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
100-LQFP（14x14） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
CY8C5888FNI-LP214T |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
80MHz |
I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
62 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 1x20b，2x12b，D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
99-UFBGA，WLCSP |
99-WLCSP（5.19x5.94） |
剪切带（CT） |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
MB9BF568MPMC-G-JNE2 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，SD，UART/USART，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
63 |
1.03125MB（1.03125M x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 16x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
80-LQFP |
80-LQFP（12x12） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
CY8C3666LTI-201 |
8051 |
8-位 |
67MHz |
EBI/EMI，I²C，LIN，SPI，UART/USART |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
38 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
8K x 8 |
A/D 1x12b，D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN（8x8） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
CY8C20234-12LKXIT |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C，SPI |
LVD，POR，WDT |
13 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
16-UFQFN |
16-QFN（3x3） |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C4125AZI-473 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
I²C，IrDA，LIN，Microwire，智能卡，SPI，SSP，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
36 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
48-TQFP（7x7） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
CY8C28403-24PVXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
SPI，UART/USART |
LVD，POR，PWM，WDT |
24 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 4x14b；D/A 4x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C24794-24LTXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART，USB |
POR，PWM，WDT |
50 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 2x14b；D/A 2x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
56-VFQFN 裸露焊盘 |
56-QFN（8x8） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C4013SXI-411T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
12 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
16-SOIC |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
CY8C24423A-24PVXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
24 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b；D/A 2x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
S6E2CC8JFAGB1000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
200MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SD，SPI，UART/USART，USB |
DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
152 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
192-LFBGA |
192-FBGA（12x12） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
22 周 |
|
|
CY8C20234-12LKXI |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C，SPI |
LVD，POR，WDT |
13 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
16-UFQFN |
16-QFN（3x3） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
S6E2GM6J0AGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SD，智能卡，SPI，UART/USART，USB |
DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
153 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
176-LQFP |
176-LQFP（24x24） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
