|
CY8C4013SXI-411T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位,POR,PWM,WDT |
12 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b,1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
16-SOIC |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
CY8C24423A-24PVXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
24 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b;D/A 2x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
S6E2CC8JFAGB1000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
200MHz |
CAN,CSIO,EBI/EMI,以太网,I²C,LIN,SD,SPI,UART/USART,USB |
DMA,I²S,LVD,POR,PWM,WDT |
152 |
1MB(1M x 8) |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b,D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
192-LFBGA |
192-FBGA(12x12) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
22 周 |
|
CY8C20234-12LKXI |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C,SPI |
LVD,POR,WDT |
13 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
16-UFQFN |
16-QFN(3x3) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
S6E2GM6J0AGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CAN,CSIO,EBI/EMI,以太网,I²C,LIN,SD,智能卡,SPI,UART/USART,USB |
DMA,I²S,LVD,POR,PWM,WDT |
153 |
512KB(512K x 8) |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
176-LQFP |
176-LQFP(24x24) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
MB9BF568RPMC-G-JNE2 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CAN,CSIO,EBI/EMI,I²C,LIN,SD,UART/USART,USB |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
100 |
1.03125MB(1.03125M x 8) |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 24x12b,D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
120-LQFP |
120-LQFP(16x16) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C4246AZI-L433 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
48MHz |
I²C,IrDA,LIN,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART |
掉电检测/复位.电容感应, DMA, LVD, POR, PWM, 智能检测, WDT |
38 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D - 12b SAR |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-LQFP |
48-TQFP(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
MB9BF218TPMC-GE1 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
144MHz |
CSIO,EBI/EMI,以太网,I²C,LIN,UART/USART,USB |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
154 |
1MB(1M x 8) |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
176-LQFP |
176-LQFP(24x24) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
27 周 |
|
CY8C5668AXI-LP034 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
256KB(256K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 2x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C4014SXI-411 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位,POR,PWM,WDT |
13 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b,1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
16-SOIC |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
CY8C5667AXQ-LP040 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
128KB(128K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
32K x 8 |
A/D 2x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C4248BZI-L489 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
48MHz |
CAN,I²C,IrDA,LIN,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART |
掉电检测/复位.电容感应, DMA, LCD, LVD, POR, PWM, 智能检测, WDT |
98 |
256KB(256K x 8) |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D - 12b SAR |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
124-VFBGA |
124-VFBGA(9x9) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
MB9AF421KWQN-G-JNE2 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
40MHz |
CAN,CSIO,I²C,LIN,UART/USART |
LVD,POR,WDT |
36 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b,D/A 1x10b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
48-QFP(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C28452-24PVXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
SPI,UART/USART |
LVD,POR,PWM,WDT |
24 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 4x14b;D/A 4x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
MB9BF506RBPMC-G-JNE2 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
80MHz |
CAN,CSIO,EBI/EMI,I²C,LIN,UART/USART,USB |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
100 |
512KB(512K x 8) |
闪存 |
- |
64K x 8 |
A/D 16x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
120-LQFP |
120-LQFP(16x16) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C4014SXI-421T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位,POR,PWM,WDT |
13 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b,1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
16-SOIC |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
MB9BF566KPMC-G-JNE2 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CAN,CSIO,I²C,LIN,UART/USART,USB |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
33 |
544KB(544K x 8) |
闪存 |
- |
64K x 8 |
A/D 8x12b,A/D 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
48-LQFP |
48-LQFP(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
17 周 |
|
CY8C24223A-12PVXET |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
16 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b;D/A 2x9b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
20-SSOP |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
22 周 |
|
CY8C3446LTI-085 |
8051 |
8-位 |
50MHz |
EBI/EMI,I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
38 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
8K x 8 |
A/D 1x12b,D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN(8x8) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
CY8C21323-24PVXIT |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
16 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 8x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
20-SSOP |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |