|
CY8C20234-12SXIT |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C,SPI |
LVD,POR,WDT |
13 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
16-SOIC |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
S6E1A12C0AGF20000 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
40MHz |
CSIO,I²C,LIN,UART/USART |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
37 |
88KB(88K x 8) |
闪存 |
- |
6K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
52-LQFP |
52-LQFP(10x10) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C21123-24SXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
6 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 8x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
8-SOIC |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C3246AXI-138 |
8051 |
8-位 |
50MHz |
EBI/EMI,I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
8K x 8 |
A/D 1x12b,D/A 1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
CY8C20424-12LQXIT |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C,SPI |
LVD,POR,WDT |
28 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
32-UFQFN 裸露焊盘 |
32-QFN(5x5) |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C20334-12LQXI |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C,SPI |
LVD,POR,WDT |
20 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
24-UFQFN 裸露焊盘 |
24-QFN-EP(4x4) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C28433-24PVXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
SPI,UART/USART |
LVD,POR,PWM,WDT |
24 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 4x14b;D/A 4x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C3244LTI-123 |
8051 |
8-位 |
50MHz |
EBI/EMI,I²C,LIN,SPI,UART/USART |
电容感应,DMA,POR,PWM,WDT |
25 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
512 x 8 |
2K x 8 |
A/D 1x12b,D/A 1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
48-QFN(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
CY8C4014SXI-411T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位,POR,PWM,WDT |
13 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b,1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
16-SOIC |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
MB9AFAA2NPF-G-SNE1 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
20MHz |
CSIO,I²C,UART/USART |
LCD,LVD,POR,PWM,WDT |
84 |
128KB(128K x 8) |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 16x12b,D/A 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-BQFP |
100-PQFP(14x20) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C4014LQI-421T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位,POR,PWM,WDT |
12 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b,1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
16-UFQFN 裸露焊盘 |
16-QFN(3x3) |
Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
CY8C27243-24SXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
16 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 4x14b;D/A 4x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
20-SOIC |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
S6E2G26J0AGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CAN,CSIO,EBI/EMI,以太网,I²C,LIN,智能卡,SPI,UART/USART,USB |
DMA,I²S,LVD,POR,PWM,WDT |
153 |
512KB(512K x 8) |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
176-LQFP |
176-LQFP(24x24) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
CY8C5866AXI-LP021 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
16K x 8 |
A/D 1x20b,1x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C24123A-24SXIT |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
6 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b;D/A 2x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
8-SOIC |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C21345-12PVXE |
M8C |
8-位 |
12MHz |
SPI,UART/USART |
LVD,POR,PWM,WDT |
24 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C4125AXQ-483 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
I²C,IrDA,LIN,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART |
欠压检测/复位,电容感应,LCD,LVD,POR,PWM,WDT |
36 |
32KB(32K x 8) |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
44-LQFP |
44-TQFP(10x10) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
CY8C5867AXI-LP024 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
128KB(128K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
32K x 8 |
A/D 1x20b,1x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C4014PVI-412 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位,POR,PWM,WDT |
20 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b,1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
MB9BF218SPMC-GE1 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
144MHz |
CSIO,EBI/EMI,以太网,I²C,LIN,UART/USART,USB |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
122 |
1MB(1M x 8) |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 24x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
144-LQFP |
144-LQFP(20x20) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |