|
|
CY8C3245LTI-139 |
8051 |
8-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，LIN，SPI，UART/USART |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
25 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
1K x 8 |
4K x 8 |
A/D 1x12b，D/A 1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
48-QFN（7x7） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
CY8C3245PVI-134 |
8051 |
8-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，LIN，SPI，UART/USART |
电容感应，DMA，POR，PWM，WDT |
25 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
1K x 8 |
4K x 8 |
A/D 1x12b，D/A 1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽） |
48-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
CY8C3244LTI-130 |
8051 |
8-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，LIN，SPI，UART/USART |
电容感应，DMA，POR，PWM，WDT |
38 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
512 x 8 |
2K x 8 |
A/D 1x12b，D/A 1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN（8x8） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
CY8C27143-24PXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
6 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 4x14b；D/A 4x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
8-DIP（0.300"，7.62mm） |
8-DIP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C27243-24SXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
16 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 4x14b；D/A 4x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
20-SOIC |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C27243-24PVXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
16 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 4x14b；D/A 4x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
20-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C20234-12LKXI |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C，SPI |
LVD，POR，WDT |
13 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
16-UFQFN |
16-QFN（3x3） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
S6E1C11B0AGP20000 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
40MHz |
CSIO，I²C，LIN，智能卡，UART/USART |
I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
24 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
12K x 8 |
A/D 6x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
32-LQFP |
32-LQFP（7x7） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY7C60413-16LKXC |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI |
LVD，POR，WDT |
13 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 1x10b |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
16-UFQFN |
16-QFN（3x3） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
9 周 |
|
|
CY8C4124PVI-442 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
I²C，IrDA，LIN，Microwire，智能卡，SPI，SSP，UART/USART |
欠压检测/复位，电容感应，LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
24 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
CY8C24493-24LTXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，USB |
LVD，POR，PWM，WDT |
36 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 1x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
48-QFN（7x7） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C4014LQI-422 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
20 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
24-UFQFN 裸露焊盘 |
24-QFN-EP（4x4） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
CY8C4245FNI-483T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
48MHz |
I²C，IrDA，LIN，Microwire，智能卡，SPI，SSP，UART/USART |
欠压检测/复位，电容感应，LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
31 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
35-UFBGA，WLCSP |
35-WLCSP（3.23x2.10） |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C4014PVI-412 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
20 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
CY8C21534-24PVXIT |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
24 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
A/D 28x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
28-SSOP |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
CY8C4014SXI-411 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
13 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
16-SOIC |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
CY8C21434-24LTXIT |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
28 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
A/D 28x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
32-WFQFN 裸露焊盘 |
32-QFN 裸露焊盘（5x5） |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C21334-24PVXIT |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
16 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
A/D 28x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
20-SSOP |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C4013LQI-411 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
12 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
16-UFQFN 裸露焊盘 |
16-QFN（3x3） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
CY8C4013SXI-411 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
12 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
16-SOIC |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
