|
CY8C4014LQI-421T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位,POR,PWM,WDT |
12 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b,1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
16-UFQFN 裸露焊盘 |
16-QFN(3x3) |
Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
CY8C5888AXI-LP096 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
80MHz |
CAN,I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
256KB(256K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 1x20b,2x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
S6E2CC8JFAGB1000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
200MHz |
CAN,CSIO,EBI/EMI,以太网,I²C,LIN,SD,SPI,UART/USART,USB |
DMA,I²S,LVD,POR,PWM,WDT |
152 |
1MB(1M x 8) |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b,D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
192-LFBGA |
192-FBGA(12x12) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
22 周 |
|
CY8C5866AXI-LP020 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
CAN,I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
16K x 8 |
A/D 1x20b,1x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C5868AXI-LP035 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
256KB(256K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 1x20b,2x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C5688LTI-LP086 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
80MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
38 |
256KB(256K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 2x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN(8x8) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C5868AXI-LP032 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
256KB(256K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 1x20b,2x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C5868LTI-LP039 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
38 |
256KB(256K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 1x20b,2x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN(8x8) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C5668AXI-LP010 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
256KB(256K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 2x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C5867AXI-LP024 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
128KB(128K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
32K x 8 |
A/D 1x20b,1x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C5888LTI-LP097 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
80MHz |
CAN,I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
38 |
256KB(256K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 1x20b,2x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN(8x8) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C5668AXI-LP034 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
256KB(256K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 2x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C5666LTI-LP005 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
38 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
16K x 8 |
A/D 2x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN(8x8) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C5868LTI-LP038 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
38 |
256KB(256K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 1x20b,2x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN(8x8) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
S6E2H14G0AGB3000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CSIO,EBI/EMI,I²C,LIN,UART/USART |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
100 |
288KB(288K x 8) |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 24x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
121-TFBGA |
121-FBGA(6x6) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
26 周 |
|
CY8C3866AXI-040 |
8051 |
8-位 |
67MHz |
CAN,EBI/EMI,I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
8K x 8 |
A/D 1x20b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
CY8C5866AXI-LP021 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
16K x 8 |
A/D 1x20b,1x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C5668LTI-LP014 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
38 |
256KB(256K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 2x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN(8x8) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
MB9BF568RPMC-G-JNE2 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CAN,CSIO,EBI/EMI,I²C,LIN,SD,UART/USART,USB |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
100 |
1.03125MB(1.03125M x 8) |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 24x12b,D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
120-LQFP |
120-LQFP(16x16) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C3866AXI-208 |
8051 |
8-位 |
67MHz |
CAN,EBI/EMI,I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
8K x 8 |
A/D 1x20b,D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |