|
|
S6E2HG6F0AGV20000 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，SD，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
80 |
544KB（544K x 8） |
闪存 |
- |
64K x 8 |
A/D 24x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
100-LQFP |
100-LQFP（14x14） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C4247LQI-BL493 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
48MHz |
I²C，IrDA，LIN，Microwire，智能卡，SPI，SSP，UART/USART |
蓝牙，掉电检测/复位，电容感应，LCD，LVD，POR，PWM，智能卡，智能检测，WDT |
36 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
56-UFQFN 裸露焊盘 |
56-QFN（7x7） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
CY7C60323-LTXC |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C，SPI |
LVD，POR，PWM，WDT |
28 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
32-WFQFN 裸露焊盘 |
32-QFN 裸露焊盘（5x5） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
MB9AF116NAPMC-G-JNE2 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
40MHz |
CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，SPI，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
83 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 16x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
100-LQFP |
100-LQFP（14x14） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
|
CY8C24894-24LTXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART，USB |
POR，PWM，WDT |
50 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 2x14b；D/A 2x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
56-VFQFN 裸露焊盘 |
56-QFN-EP（8x8） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
MB95F264KPF-G-SNE2 |
F²MC-8FX |
8-位 |
16MHz |
LIN，SIO，UART/USART |
LVD，POR，PWM，WDT |
16 |
20KB（20K x 8） |
闪存 |
- |
496 x 8 |
A/D 6x8/10b |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
20-SOP |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
CY8C21634B-24LTXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
28 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
A/D 28x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
32-VFQFN 裸露焊盘 |
32-QFN（5x5） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C4014LQI-422T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
20 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
24-UFQFN 裸露焊盘 |
24-QFN-EP（4x4） |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
CY8C3246AXI-131 |
8051 |
8-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，LIN，SPI，UART/USART |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
62 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
8K x 8 |
A/D 1x12b，D/A 1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
100-TQFP（14x14） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
CY8C21123-24SXIT |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
6 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 8x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
8-SOIC |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C4127LQI-BL473 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
I²C，IrDA，LIN，Microwire，智能卡，SPI，SSP，UART/USART |
蓝牙，掉电检测/复位，电容感应，LCD，LVD，POR，PWM，智能卡，智能检测，WDT |
36 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
56-UFQFN 裸露焊盘 |
56-QFN（7x7） |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
CY8C4013SXI-410 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
5 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
8-SOIC |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
MB9BF524KQN-G-AVE2 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
72MHz |
CAN，CSIO，I²C，LIN，UART/USART，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
35 |
288KB（288K x 8） |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 14x12b，D/A 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
48-QFN（7x7） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
MB9BFD18TBGL-GK7E1 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
144MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SD，ART/USART，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
154 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
192-LFBGA |
192-FBGA（12x12） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
22 周 |
|
|
MB9AF421KPMC-G-JNE2 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
40MHz |
CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，UART/USART，USB |
LVD，POR，WDT |
36 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b，D/A 1x10b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
48-LQFP |
48-LQFP（7x7） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
CY8C5668AXI-LP010 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
62 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 2x12b，D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
100-TQFP（14x14） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
CY8C4245FNI-483T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
48MHz |
I²C，IrDA，LIN，Microwire，智能卡，SPI，SSP，UART/USART |
欠压检测/复位，电容感应，LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
31 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
35-UFBGA，WLCSP |
35-WLCSP（3.23x2.10） |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C3666AXI-037 |
8051 |
8-位 |
67MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，LIN，SPI，UART/USART |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
62 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
8K x 8 |
A/D 1x12b，D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
100-TQFP（14x14） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
S6E2H44G0AGB3000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
100 |
288KB（288K x 8） |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 24x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
121-TFBGA |
121-FBGA（6x6） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
19 周 |
|
|
CY8C24633-24PVXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
25 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b；D/A 2x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
22 周 |
