|
|
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位,POR,PWM,WDT |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b,1x8b |
内部 |
24-UFQFN 裸露焊盘 |
托盘 |
|
CY8C4014LQI-422 |
|
20 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
24-QFN-EP(4x4) |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
N78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
44-LCC(J 形引线) |
|
- |
N78E517APG |
|
36 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
N78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
48-LQFP |
|
- |
N78E517ALG |
|
40 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
XCR3032XL-10CSG48C |
系统内可编程(最少 1K 次编程/擦除循环) |
36 |
0°C ~ 70°C(TA) |
48-FBGA,CSPBGA |
48-CSBGA(7x7) |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
NuMicro™ Nano100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
EBI/EMI,I²C,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 7x12b,D/A 2x12b |
内部 |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
|
- |
NANO100ND3BN |
|
38 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
NuMicro™ Nano120 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
I²C,SPI,UART/USART,USB |
欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT |
32KB(32K x 8) |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b,D/A 2x12b |
内部 |
48-LQFP |
|
- |
NANO120LC2BN |
|
34 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
NuMicro™ Nano100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 7x12b,D/A 2x12b |
内部 |
48-LQFP |
|
- |
NANO100LD3BN |
|
38 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
NuMicro™ NUC220 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C,IrDA,SPI,UART/USART,USB |
欠压检测/复位,DMA,I²S,LVD,POR,PS2,PWM,WDT |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
48-LQFP |
|
- |
NUC220LD2AN |
|
31 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
RL78/G14 |
RL78 |
16-位 |
32MHz |
CSI,I²C,LIN,UART/USART |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
32KB(32K x 8) |
闪存 |
4K x 8 |
4K x 8 |
A/D 8x8/10b |
内部 |
30-LSSOP(0.240",6.10mm 宽) |
|
- |
R5F104ACASP#V0 |
|
21 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
RL78/G13 |
RL78 |
16-位 |
32MHz |
CSI,I²C,LIN,UART/USART |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 10x8/10b |
内部 |
44-LQFP |
|
- |
R5F100FAAFP#V0 |
|
31 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
R8C/2x/2J |
R8C |
16-位 |
8MHz |
LIN,SIO,UART/USART |
POR,PWM,电压检测,WDT |
2KB(2K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
内部 |
20-LSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
|
- |
R5F212J0SNSP#U0 |
|
12 |
-20°C ~ 85°C(TA) |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
RL78/L12 |
RL78 |
16-位 |
24MHz |
CSI,I²C,LIN,UART/USART |
DMA,LCD,LVD,POR,PWM,WDT |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
1K x 8 |
A/D 9x8/10b |
内部 |
48-LQFP |
|
- |
R5F10RGAAFB#V0 |
|
33 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
XA2C32A-7VQG44Q |
系统内可编程 |
33 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
44-TQFP |
44-VQFP(10x10) |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
N78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
40-DIP(0.600",15.24mm) |
|
- |
N78E517ADG |
|
32 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
NuMicro™ NUC100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C,IrDA,智能卡,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,DMA,I²S,LVD,POR,PS2,PWM,WDT |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
4K x 8 |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
48-LQFP |
|
- |
NUC100LD2DN |
|
37 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
NuMicro™ Nano120 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
I²C,SPI,UART/USART,USB |
欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b,D/A 2x12b |
内部 |
48-LQFP |
|
- |
NANO120LD2BN |
|
34 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
NuMicro M0519 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
72MHz |
I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,LVR,POR,PWM,WDT |
128KB(128K x 8) |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 16x12b |
内部 |
64-LQFP |
|
- |
M0519SE3AE |
|
51 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI,UART/USART |
POR,WDT |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
44-BQFP |
|
- |
W78I052DFG |
|
36 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI,UART/USART |
POR,WDT |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
44-LCC(J 形引线) |
|
- |
W78I054DPG |
|
36 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
W78 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI,UART/USART |
LED,WDT |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
内部 |
44-LCC(J 形引线) |
|
- |
W78L812A24PL |
|
36 |
0°C ~ 70°C(TA) |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |