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产品系列
核心处理器
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外设
程序存储容量
程序存储器类型
EEPROM 容量
RAM 容量
数据转换器
振荡器类型
封装类型
包装
原产地
产品型号
可编程类型
I/O 数
工作温度
封装/外壳
供应商器件封装
达标情况
原厂标准交货期
¥59.52
自营
ARM® Cortex®-M0
32-位
16MHz
I²C
欠压检测/复位,POR,PWM,WDT
16KB(16K x 8)
闪存
-
2K x 8
D/A 1x7b,1x8b
内部
24-UFQFN 裸露焊盘
托盘
CY8C4014LQI-422
20
-40°C ~ 85°C(TA)
24-QFN-EP(4x4)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N78
8051
8-位
40MHz
EBI/EMI,SPI,UART/USART
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT
64KB(64K x 8)
闪存
-
1.25K x 8
-
内部
44-LCC(J 形引线)
-
N78E517APG
36
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
N78
8051
8-位
40MHz
EBI/EMI,SPI,UART/USART
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT
64KB(64K x 8)
闪存
-
1.25K x 8
-
内部
48-LQFP
-
N78E517ALG
40
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
XCR3032XL-10CSG48C
系统内可编程(最少 1K 次编程/擦除循环)
36
0°C ~ 70°C(TA)
48-FBGA,CSPBGA
48-CSBGA(7x7)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
NuMicro™ Nano100
ARM® Cortex®-M0
32-位
42MHz
EBI/EMI,I²C,SPI,UART/USART
欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT
64KB(64K x 8)
闪存
-
16K x 8
A/D 7x12b,D/A 2x12b
内部
48-VFQFN 裸露焊盘
-
NANO100ND3BN
38
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
NuMicro™ Nano120
ARM® Cortex®-M0
32-位
42MHz
I²C,SPI,UART/USART,USB
欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT
32KB(32K x 8)
闪存
-
8K x 8
A/D 7x12b,D/A 2x12b
内部
48-LQFP
-
NANO120LC2BN
34
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
NuMicro™ Nano100
ARM® Cortex®-M0
32-位
42MHz
I²C,SPI,UART/USART
欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT
64KB(64K x 8)
闪存
-
16K x 8
A/D 7x12b,D/A 2x12b
内部
48-LQFP
-
NANO100LD3BN
38
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
NuMicro™ NUC220
ARM® Cortex®-M0
32-位
50MHz
I²C,IrDA,SPI,UART/USART,USB
欠压检测/复位,DMA,I²S,LVD,POR,PS2,PWM,WDT
64KB(64K x 8)
闪存
-
8K x 8
A/D 7x12b
内部
48-LQFP
-
NUC220LD2AN
31
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
RL78/G14
RL78
16-位
32MHz
CSI,I²C,LIN,UART/USART
DMA,LVD,POR,PWM,WDT
32KB(32K x 8)
闪存
4K x 8
4K x 8
A/D 8x8/10b
内部
30-LSSOP(0.240",6.10mm 宽)
-
R5F104ACASP#V0
21
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
RL78/G13
RL78
16-位
32MHz
CSI,I²C,LIN,UART/USART
DMA,LVD,POR,PWM,WDT
16KB(16K x 8)
闪存
-
2K x 8
A/D 10x8/10b
内部
44-LQFP
-
R5F100FAAFP#V0
31
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
R8C/2x/2J
R8C
16-位
8MHz
LIN,SIO,UART/USART
POR,PWM,电压检测,WDT
2KB(2K x 8)
闪存
-
256 x 8
-
内部
20-LSSOP(0.173",4.40mm 宽)
-
R5F212J0SNSP#U0
12
-20°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
RL78/L12
RL78
16-位
24MHz
CSI,I²C,LIN,UART/USART
DMA,LCD,LVD,POR,PWM,WDT
16KB(16K x 8)
闪存
2K x 8
1K x 8
A/D 9x8/10b
内部
48-LQFP
-
R5F10RGAAFB#V0
33
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
XA2C32A-7VQG44Q
系统内可编程
33
-40°C ~ 105°C(TA)
44-TQFP
44-VQFP(10x10)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
N78
8051
8-位
40MHz
EBI/EMI,SPI,UART/USART
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT
64KB(64K x 8)
闪存
-
1.25K x 8
-
内部
40-DIP(0.600",15.24mm)
-
N78E517ADG
32
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
NuMicro™ NUC100
ARM® Cortex®-M0
32-位
50MHz
I²C,IrDA,智能卡,SPI,UART/USART
欠压检测/复位,DMA,I²S,LVD,POR,PS2,PWM,WDT
64KB(64K x 8)
闪存
4K x 8
8K x 8
A/D 8x12b
内部
48-LQFP
-
NUC100LD2DN
37
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
NuMicro™ Nano120
ARM® Cortex®-M0
32-位
42MHz
I²C,SPI,UART/USART,USB
欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT
64KB(64K x 8)
闪存
-
8K x 8
A/D 7x12b,D/A 2x12b
内部
48-LQFP
-
NANO120LD2BN
34
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
NuMicro M0519
ARM® Cortex®-M0
32-位
72MHz
I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART
欠压检测/复位,LVR,POR,PWM,WDT
128KB(128K x 8)
闪存
-
16K x 8
A/D 16x12b
内部
64-LQFP
-
M0519SE3AE
51
-40°C ~ 105°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
W78
8052
8-位
40MHz
EBI/EMI,UART/USART
POR,WDT
8KB(8K x 8)
闪存
-
256 x 8
-
外部
44-BQFP
-
W78I052DFG
36
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
W78
8052
8-位
40MHz
EBI/EMI,UART/USART
POR,WDT
16KB(16K x 8)
闪存
-
256 x 8
-
外部
44-LCC(J 形引线)
-
W78I054DPG
36
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
W78
8051
8-位
24MHz
EBI/EMI,UART/USART
LED,WDT
8KB(8K x 8)
闪存
-
256 x 8
-
内部
44-LCC(J 形引线)
-
W78L812A24PL
36
0°C ~ 70°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
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