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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
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¥19.29
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 147A SO8FL
京电港自营
自营
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NTMFS4934NT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
17.1A（Ta），147A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
34nC @ 4.5V
5505pF @ 15V
930mW（Ta），69.44W（Tc）
2 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥0.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
京电港自营
自营
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DMN63D1LW-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 1mA
0.3nC @ 4.5V
30pF @ 25V
±20V
-
310mW（Ta）
2 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.40
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
京电港自营
自营
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DMN3053L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.4V @ 250µA
17.2nC @ 10V
676pF @ 15V
±12V
-
760mW（Ta）
45 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.30
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
京电港自营
自营
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DMN2026UVT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
18.4nC @ 8V
887pF @ 10V
±10V
-
1.15W（Ta）
24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.26
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDI
京电港自营
自营
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DMP3008SFG-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
47nC @ 10V
2230pF @ 15V
±20V
-
900mW（Ta）
17 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
京电港自营
自营
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DMG7401SFGQ-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，20V
3V @ 250µA
58nC @ 10V
2987pF @ 15V
±25V
-
940mW（Ta）
11 毫欧 @ 12A，20V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥8.79
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 12V 2.7A SOT-363
京电港自营
自营
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NTJS3151PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.7A（Ta）
1.8V，4.5V
1.2V @ 100µA
8.6nC @ 4.5V
850pF @ 12V
625mW（Ta）
60 毫欧 @ 3.3A，4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥14.88
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
京电港自营
自营
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ZVN4306GTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
3V @ 1mA
-
350pF @ 25V
±20V
-
3W（Ta）
330 毫欧 @ 3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥38.76
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 9.4A
京电港自营
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DMT10H010LPS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3.5V @ 250µA
71nC @ 10V
3000pF @ 50V
±20V
-
1.2W（Ta）, 139W（Tc）
9.5 毫欧 @ 13A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.50
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
京电港自营
自营
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DMN55D0UT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4V
1V @ 250µA
-
25pF @ 10V
±12V
-
200mW（Ta）
4 欧姆 @ 100mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.85
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT-23
京电港自营
自营
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DMP3130L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.3V @ 250µA
12nC @ 10V
432pF @ 15V
±12V
-
700mW（Ta）
77 毫欧 @ 4.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.84
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 4.5A MCPH3
京电港自营
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MCH3477-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
5.1nC @ 4.5V
410pF @ 10V
1W（Ta）
38 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥5.10
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 38A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4C13NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
7.2A（Ta），38A（Tc）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
15.2nC @ 10V
770pF @ 15V
750mW（Ta）
9.1 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥6.84
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 40V 30A ATPAK
京电港自营
自营
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ATP106-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
30A（Ta）
4.5V，10V
-
29nC @ 10V
1380pF @ 20V
40W（Tc）
25 毫欧 @ 15A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥11.67
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223
京电港自营
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ZVP2110GTA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3.5V @ 1mA
-
100pF @ 25V
±20V
-
2W（Ta）
8 欧姆 @ 375mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥17.25
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 70A ATPAK
京电港自营
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ATP302-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
70A（Ta）
4.5V，10V
-
115nC @ 10V
5400pF @ 20V
70W（Tc）
13 毫欧 @ 35A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
¥0.66
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
京电港自营
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DMN67D8L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
0.82nC @ 10V
22pF @ 25V
±30V
-
340mW（Ta）
5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥2.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
京电港自营
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DMN3023L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.8V @ 250µA
18.4nC @ 10V
873pF @ 15V
±20V
-
900mW（Ta）
25 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 155°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.24
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V SOT883
京电港自营
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NTNS3A67PZT5G
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装
SOT-883（XDFN3）（1x0.6）
SC-101，SOT-883
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥4.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
京电港自营
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DMP2021UFDE-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
59nC @ 8V
2760pF @ 15V
±10V
-
1.9W（Ta）
16 毫欧 @ 7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-

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