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封装/外壳
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¥5.37
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 44A SO-8FL
京电港自营
自营
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NTMFS4926NT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta），44A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
17.3nC @ 10V
1004pF @ 15V
920mW（Ta），21.6W（Tc）
7 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥20.97
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
京电港自营
自营
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ZXMN4A06GTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
18.2nC @ 10V
770pF @ 40V
±20V
-
2W（Ta）
50 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
京电港自营
自营
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DMN4008LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.3V，10V
3V @ 250µA
74nC @ 10V
3537pF @ 20V
±20V
-
1W（Ta）
7.5 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.97
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
京电港自营
自营
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BSS123TA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.8V @ 1mA
-
20pF @ 25V
±20V
-
360mW（Ta）
6 欧姆 @ 100mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥0.96
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT323
京电港自营
自营
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DMN67D8LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
0.82nC @ 10V
22pF @ 25V
±30V
-
320mW（Ta）
5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 8A 20V MCPH3
京电港自营
自营
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MCH3376-TL-E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
800mW（Ta）
241 毫欧 @ 750mA，4.5V
表面贴装
3-MCPH
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.33
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 4.5A MCPH3
京电港自营
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MCH3477-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5A（Ta）
1.8V，4.5V
-
5.1nC @ 4.5V
410pF @ 10V
1W（Ta）
38 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.29
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3
京电港自营
自营
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DMN4040SK3-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
18.6nC @ 10V
945pF @ 20V
±20V
-
1.71W（Ta）
30 毫欧 @ 12A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V POWERDI3333-8
京电港自营
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DMP4025SFGQ-7
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1.8V @ 250µA
33.7nC @ 10V
1643pF @ 20V
±20V
-
810mW（Ta）
25 毫欧 @ 3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerVDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥43.98
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 76A D2PAK
京电港自营
自营
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NTB6410ANT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
76A（Tc）
10V
4V @ 250µA
120nC @ 10V
4500pF @ 25V
188W（Tc）
13 毫欧 @ 76A，10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
¥8.79
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 23A DPAK
京电港自营
自营
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NTD6415ANLT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
23A（Tc）
4.5V，10V
2V @ 250µA
35nC @ 10V
1024pF @ 25V
83W（Tc）
52 毫欧 @ 10A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
¥15.09
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 5.3A U-DFN
京电港自营
自营
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DMN6040SFDE-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
±20V
-
660mW（Ta）
38 毫欧 @ 4.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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