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不同Id时的Vgs
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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥1.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3
京电港自营
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DMP21D2UFA-7B
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
49pF @ 15V
±8V
-
360mW（Ta）
1 欧姆 @ 200mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
京电港自营
自营
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DMN1019USN-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，2.5V
800mV @ 250µA
50.6nC @ 8V
2426pF @ 10V
±8V
-
680mW（Ta）
10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.75
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 4.9A TSOT-26
京电港自营
自营
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DMP3065LVT-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
12.3nC @ 10V
587pF @ 15V
±20V
-
1.2W（Ta）
42 毫欧 @ 4.9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.92
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 25V 14A DPAK
京电港自营
自营
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SVD14N03RT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
4.5V，10V
2V @ 250µA
1.8nC @ 5V
115pF @ 20V
1.04W（Ta），20.8W（Tc）
95 毫欧 @ 5A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥6.66
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3
京电港自营
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ZVP3306FTA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3.5V @ 1mA
-
50pF @ 18V
±20V
-
330mW（Ta）
14 欧姆 @ 200mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.16
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT223
京电港自营
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ZXMN6A25GTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
20.4nC @ 10V
1063pF @ 30V
±20V
-
2W（Ta）
50 毫欧 @ 3.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
询价
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 40A ATPAK
京电港自营
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ATP206-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
40A（Ta）
4.5V，10V
-
27nC @ 10V
1630pF @ 20V
40W（Tc）
16 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23
京电港自营
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DMP2035U-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
15.4nC @ 4.5V
1610pF @ 10V
±8V
-
810mW（Ta）
35 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23
京电港自营
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DMP3130LQ-7
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.3V @ 250µA
24nC @ 10V
864pF @ 15V
±12V
-
700mW（Ta）
77 毫欧 @ 4.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
京电港自营
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DMP3017SFG-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
41nC @ 10V
2246pF @ 15V
±25V
-
940mW（Ta）
10 毫欧 @ 11.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.43
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC
京电港自营
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DMP2066LSS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
-
820pF @ 15V
±12V
-
2.5W（Ta）
40 毫欧 @ 5.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥24.51
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
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DMTH6004SPSQ-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
95.4nC @ 10V
4556pF @ 30V
±20V
-
2.1W（Ta），167W（Tc）
3.1 毫欧 @ 50A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI
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DMT6010LFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
41.3nC @ 10V
2090pF @ 30V
±20V
-
2.2W（Ta），41W（Tc）
7.5 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥13.02
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 14A U8FL
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NTTFS3A08PZTAG
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta）
2.5V，4.5V
1V @ 250µA
56nC @ 4.5V
5000pF @ 10V
840mW（Ta）
6.7 毫欧 @ 12A，4.5V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
35 周
¥1.20
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 210MA SOT-723
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NTK3043NT5G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
210mA（Ta）
1.65V，4.5V
1.3V @ 250µA
-
11pF @ 10V
310mW（Ta）
3.4 欧姆 @ 10mA，4.5V
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥2.52
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3.3A SC-88
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NTJS4151PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.3A（Ta）
1.8V，4.5V
1.2V @ 250µA
10nC @ 4.5V
850pF @ 10V
1W（Ta）
60 毫欧 @ 3.3A，4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥3.60
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
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NTGS3455T1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
13nC @ 10V
480pF @ 5V
500mW（Ta）
100 毫欧 @ 3.5A，10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥4.59
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 25A ATPAK
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ATP101-V-TL-H
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥6.30
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 3A SOT223
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NTF3055-100T1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
10V
4V @ 250µA
22nC @ 10V
455pF @ 25V
1.3W（Ta）
110 毫欧 @ 1.5A，10V
表面贴装
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
27 周
¥236.28
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 1500V 9A TO3PF-3
京电港自营
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NDUL09N150CG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta）
10V
4V @ 1mA
114nC @ 10V
2025pF @ 30V
3W（Ta），78W（Tc）
3 欧姆 @ 3A，10V
TO-3PF-3
TO-3P-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周

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