|
|
DMP21D5UFB4-7B |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
1.2V，5V |
1V @ 250µA |
500nC @ 4.5V |
46.1pF @ 10V |
±8V |
- |
460mW（Ta） |
970 毫欧 @ 100mA，5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
X2-DFN1006-3 |
3-XFDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NTMFS5C410NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
46A（Ta）, 300A（Tc） |
10V |
3.5V @ 250µA |
18nC @ 10V |
6100pF @ 25V |
|
|
3.9W（Ta）, 166W（Tc） |
0.92 毫欧 @ 50A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
DMP32D4S-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2.4V @ 250µA |
0.6nC @ 4.5V |
51.16pF @ 15V |
±20V |
- |
370mW（Ta） |
2.4 欧姆 @ 300mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
ZXMN2F30FHTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
2.5V，4.5V |
1.5V @ 250µA |
4.8nC @ 4.5V |
452pF @ 10V |
±12V |
- |
960mW（Ta） |
45 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23-3 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NDTL01N60ZT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
250mA（Tc） |
10V |
4.5V @ 50µA |
4.9nC @ 10V |
92pF @ 25V |
|
|
2W（Tc） |
15 欧姆 @ 400mA，10V |
|
表面贴装 |
SOT-223（TO-261） |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NTD4809NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
9.6A（Ta），58A（Tc） |
4.5V，11.5V |
2.5V @ 250µA |
25nC @ 11.5V |
1456pF @ 12V |
|
|
1.4W（Ta），52W（Tc） |
9 毫欧 @ 30A，10V |
|
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
ZXMN20B28KTC |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
5V，10V |
2.5V @ 250µA |
8.1nC @ 5V |
358pF @ 25V |
±20V |
- |
2.2W（Ta） |
750 毫欧 @ 2.75A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMTH8012LK3Q-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
46.8nC @ 10V |
2051pF @ 40V |
±20V |
- |
2.6W（Ta） |
16 毫欧 @ 12A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-4L |
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NTMS4177PR2G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
6.6A（Ta） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
55nC @ 10V |
3100pF @ 24V |
|
|
840mW（Ta） |
12 毫欧 @ 11.4A，10V |
|
表面贴装 |
8-SOIC |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
|
|
2N7002WT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
310mA（Ta） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
0.7nC @ 4.5V |
24.5pF @ 20V |
|
|
280mW（Tj） |
1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
|
表面贴装 |
SC-70-3（SOT323） |
SC-70，SOT-323 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
36 周 |
|
|
NTLUS3A18PZTCG |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
5.1A（Ta） |
1.5V，4.5V |
1V @ 250µA |
28nC @ 4.5V |
2240pF @ 15V |
|
|
700mW（Ta） |
18 毫欧 @ 7A，4.5V |
|
表面贴装 |
6-UDFN（2x2） |
6-UDFN 裸露焊盘 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
2 周 |
|
|
SCH1433-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3.5A（Ta） |
1.8V，4.5V |
- |
2.8nC @ 4.5V |
260pF @ 10V |
|
|
800mW（Ta） |
64 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
|
表面贴装 |
6-SCH |
SOT-563，SOT-666 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
DMP3098LSS-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2.1V @ 250µA |
7.8nC @ 10V |
336pF @ 25V |
±20V |
- |
2.5W（Ta） |
65 毫欧 @ 5.3A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
8-SOP |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
DMG7401SFGQ-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，20V |
3V @ 250µA |
58nC @ 10V |
2987pF @ 15V |
±25V |
- |
940mW（Ta） |
11 毫欧 @ 12A，20V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMP4015SK3-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
47.5nC @ 5V |
4234pF @ 20V |
±25V |
- |
3.5W（Ta） |
11 毫欧 @ 9.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252，（D-Pak） |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMG4466SSSL-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2.4V @ 250µA |
17nC @ 10V |
478.9pF @ 15V |
±20V |
- |
1.42W（Ta） |
23 毫欧 @ 10A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
8-SO |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
NTD5862NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
98A（Tc） |
10V |
4V @ 250µA |
82nC @ 10V |
6000pF @ 25V |
|
|
115W（Tc） |
5.7 毫欧 @ 45A，10V |
|
表面贴装 |
DPAK-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
DMN53D0U-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
1.8V，5V |
1V @ 250µA |
0.6nC @ 4.5V |
37.1pF @ 25V |
±12V |
- |
520mW（Ta） |
2 欧姆 @ 50mA，5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
DMP1200UFR4-7 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
1.5V，4.5V |
1V @ 250µA |
5.8nC @ 4.5V |
514pF @ 5V |
±8V |
- |
480mW（Ta） |
100 毫欧 @ 2A，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
X2-DFN1010-3 |
3-XFDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
CPH3462-TL-W |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1A（Ta） |
4V，10V |
2.6V @ 1mA |
3.4nC @ 10V |
155pF @ 20V |
|
|
1W（Ta） |
785 毫欧 @ 1A，10V |
|
表面贴装 |
3-CPH |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
