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不同Id时的Vgs
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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥6.33
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
京电港自营
自营
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DMN3008SFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
86nC @ 10V
3690pF @ 10V
±20V
-
900mW（Ta）
4.6 毫欧 @ 13.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥10.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI
京电港自营
自营
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DMNH4011SPSQ-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
25.5nC @ 10V
1405pF @ 20V
±20V
-
2.5W（Ta），150W（Tc）
10 毫欧 @ 50A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥0.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
京电港自营
自营
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2N7002-7-F
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥2.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
京电港自营
自营
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DMG3402L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.4V @ 250µA
11.7nC @ 10V
464pF @ 15V
±12V
-
1.4W（Ta）
52 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.24
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 1.6A SCH6
京电港自营
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SCH2825-TL-E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.6A（Ta）
4V，10V
-
2nC @ 10V
88pF @ 10V
600mW（Ta）
180 毫欧 @ 800mA，10V
表面贴装
6-SCH
6-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
京电港自营
自营
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DMP3026SFDF-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V，10V
3V @ 250µA
19.6nC @ 10V
1204pF @ 15V
±25V
-
2W（Ta）
19 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥5.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
京电港自营
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DMS3012SFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
14.7nC @ 10V
4310pF @ 15V
±20V
肖特基二极管（体）
890mW（Ta）
10 毫欧 @ 13.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥30.90
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 15.7A POWERDI506
京电港自营
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DMTH4007SPSQ-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
41.9nC @ 10V
2082pF @ 25V
±20V
-
2.8W（Ta）, 136W（Tc）
7.6 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
京电港自营
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DMP2007UFG-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.3V @ 250µA
85nC @ 10V
4621pF @ 10V
±12V
-
2.3W（Ta）
5.5 毫欧 @ 15A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥13.65
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 100V 11A TP-FA
京电港自营
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SFT1345-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11A（Ta）
4V，10V
-
21nC @ 10V
1020pF @ 20V
1W（Ta），35W（Tc）
275 毫欧 @ 5.5A，10V
表面贴装
TP-FA
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥1.29
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
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DMN61D9U-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，5V
1V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
28.5pF @ 30V
±20V
-
370mW（Ta）
2 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥2.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
京电港自营
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DMN6140LQ-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
8.6nC @ 10V
315pF @ 40V
±20V
-
700mW（Ta）
140 毫欧 @ 1.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SO
京电港自营
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DMP3037LSS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
19.3nC @ 10V
931pF @ 15V
±20V
-
1.2W（Ta）
32 毫欧 @ 7A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥4.80
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
京电港自营
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ZXMP6A17E6TA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
17.7nC @ 10V
637pF @ 30V
±20V
-
1.1W（Ta）
125 毫欧 @ 2.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.45
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
京电港自营
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DMP2006UFG-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
200nC @ 10V
7500pF @ 10V
±10V
-
2.3W（Ta）
5.5 毫欧 @ 15A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥10.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3
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DMN2004WK-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
-
150pF @ 16V
±8V
-
200mW（Ta）
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.19
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 0.1A SMCP
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3LP01SS-TL-E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
100mA（Ta）
1.5V，4V
-
1.43nC @ 10V
7.5pF @ 10V
150mW（Ta）
10.4 欧姆 @ 50mA，4V
表面贴装
3-SSFP
SC-81
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.15
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 12V 3.5A MCPH6
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MCH6320-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.4V @ 1mA
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1.5W（Ta）
70 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
京电港自营
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DMN3730UFB-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
950mV @ 250µA
1.6nC @ 4.5V
64.3pF @ 25V
±8V
-
470mW（Ta）
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-DFN
3-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 8.2A 6UDFN
京电港自营
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NTLUS3A18PZTBG
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5.1A（Ta）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
28nC @ 4.5V
2240pF @ 15V
700mW（Ta）
18 毫欧 @ 7A，4.5V
表面贴装
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周

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