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安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
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达标情况
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¥2.55
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 1.3A SOT23
京电港自营
自营
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NVTR01P02LT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.3A（Ta）
2.5V，4.5V
1.25V @ 250µA
3.1nC @ 4V
225pF @ 5V
400mW（Ta）
220 毫欧 @ 750mA，4.5V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3
京电港自营
自营
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DMP2225L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.25V @ 250µA
5.3nC @ 4.5V
250pF @ 10V
±12V
-
1.08W（Ta）
110 毫欧 @ 2.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.62
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 12V 3A MCPH3
京电港自营
自营
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MCH3374-TL-E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
1.8V，4V
-
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1W（Ta）
70 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.33
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
京电港自营
自营
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DMN3008SFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
86nC @ 10V
3690pF @ 10V
±20V
-
900mW（Ta）
4.6 毫欧 @ 13.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥10.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI
京电港自营
自营
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DMNH4011SPSQ-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
25.5nC @ 10V
1405pF @ 20V
±20V
-
2.5W（Ta），150W（Tc）
10 毫欧 @ 50A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.01
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23
京电港自营
自营
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DMN2041L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
15.6nC @ 10V
550pF @ 10V
±12V
-
780mW（Ta）
28 毫欧 @ 6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.06
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
京电港自营
自营
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DMN2300U-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
950mV @ 250µA
1.6nC @ 4.5V
64.3pF @ 25V
±8V
-
430mW（Ta）
175 毫欧 @ 300mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 27A U8FL
京电港自营
自营
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NTTFS4C25NTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5A（Ta），27A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
10.3nC @ 10V
500pF @ 15V
690mW（Ta）, 20.2W（Tc）
17 毫欧 @ 10A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥5.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 8.2A 6UDFN
京电港自营
自营
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NTLUS3A18PZTAG
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5.1A（Ta）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
28nC @ 4.5V
2240pF @ 15V
700mW（Ta）
18 毫欧 @ 7A，4.5V
表面贴装
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
31 周
¥22.08
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
ZXMP7A17GQTA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
18nC @ 10V
635pF @ 40V
±20V
-
2W（Ta）
160 毫欧 @ 2.1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.32
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
ZVN3310ASTZ
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
2.4V @ 1mA
-
40pF @ 25V
±20V
-
625mW（Ta）
10 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥12.24
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223
京电港自营
自营
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ZVN4424GTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.8V @ 1mA
-
200pF @ 25V
±40V
-
2.5W（Ta）
5.5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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