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安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
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¥1.44
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
京电港自营
自营
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DMP3120L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.4V @ 250µA
6.7nC @ 10V
285pF @ 15V
±12V
-
1.4W（Ta）
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.79
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
京电港自营
自营
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DMN3018SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
13.2nC @ 10V
697pF @ 15V
±25V
-
1.4W（Ta）
21 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥11.49
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
京电港自营
自营
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DMN601K-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
±20V
-
350mW（Ta）
2 欧姆 @ 500mA，10V
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥21.42
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB
京电港自营
自营
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DMT6009LCT
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
33.5nC @ 10V
1925pF @ 30V
±16V
-
2.2W（Ta）, 25W（Tc）
12 毫欧 @ 13.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.99
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 6A CPH6
京电港自营
自营
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CPH6442-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
20nC @ 10V
1040pF @ 20V
1.6W（Ta）
43 毫欧 @ 3A，10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥5.37
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
京电港自营
自营
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NTMD4184PFR2G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.3A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
4.2nC @ 4.5V
360pF @ 10V
770mW（Ta）
95 毫欧 @ 3A，10V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥7.29
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 11A 8WDFN
京电港自营
自营
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NTTFS4932NTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11A（Ta），79A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
46.5nC @ 10V
3111pF @ 15V
850mW（Ta），43W（Tc）
4 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
京电港自营
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ZXMN6A08E6QTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
5.8nC @ 10V
459pF @ 40V
±20V
-
1.1W（Ta）
80 毫欧 @ 4.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.28
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 1.13A SOT-23
京电港自营
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NTR4502PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.13A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
200pF @ 15V
400mW（Tj）
200 毫欧 @ 1.95A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.24
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 25V 2.5A DPAK
京电港自营
自营
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NTD14N03RT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
4.5V，10V
2V @ 250µA
1.8nC @ 5V
115pF @ 20V
1.04W（Ta），20.8W（Tc）
95 毫欧 @ 5A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥13.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
京电港自营
自营
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ZXMP3A13FTA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
6.4nC @ 10V
206pF @ 15V
±20V
-
625mW（Ta）
210 毫欧 @ 1.4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥49.89
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 289A SO-8FL
京电港自营
自营
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NTMFS5C604NLT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
38A（Ta）
4.5V，10V
2V @ 250µA
120nC @ 10V
8900pF @ 25V
3.9W（Ta），200W（Tc）
1.2 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周

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