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电源电压
引脚数目
下降时间
封装类型
输出数目
上升时间
拓扑
高压侧和低压侧相关性
延时
驱动器数目
电桥类型
极性
安装类型
产品类型
4 A
30V
8
PDIP
2
隔离栅极驱动器
1
非反相
通孔
SI8261BBC-C-IP
TTL
1.8 a 、 4 a
5.5 V, 30V
16
18ns
SOIC
1
16ns
高侧和低侧
独立
75ns
2
半桥
反相
表面贴装
Si8274DB4D-IS1
TTL
1.8 a 、 4 a
5.5 V, 30V
14
18ns
QFN
1
16ns
隔离栅极驱动器
独立
75ns
2
半桥
反相
表面贴装
Si8275GBD-IM1
TTL
1.8 a 、 4 a
5.5 V, 30V
14
18ns
QFN
1
16ns
隔离栅极驱动器
独立
60ns
2
半桥
反相
表面贴装
Si8275DA-IM1
0.6 A
30V
8
SOIC
2
隔离栅极驱动器
1
非反相
表面贴装
SI8261ACC-C-IS
24V
16
SOIC W
12ns
隔离栅极驱动器
2
非反相
表面贴装
Si82394BD-IS
TTL
1.8 a 、 4 a
5.5 V, 30V
14
18ns
QFN
1
16ns
隔离栅极驱动器
独立
75ns
2
半桥
反相
表面贴装
Si8275DAD-IM1
24V
16
SOIC W
12ns
隔离栅极驱动器
2
非反相
表面贴装
SI82394CD-IS
TTL
1.8 a 、 4 a
5.5 V, 30V
14
18ns
QFN
1
16ns
隔离栅极驱动器
独立
60ns
2
半桥
反相
表面贴装
Si8275BB-IM1
TTL
1.8 a 、 4 a
5.5 V, 30V
14
18ns
QFN
1
16ns
隔离栅极驱动器
独立
75ns
2
半桥
反相
表面贴装
SI8275ABD-IM1
TTL
1.8 a 、 4 a
5.5 V, 30V
16
18ns
SOIC
1
16ns
隔离栅极驱动器
独立
75ns
2
半桥
反相
表面贴装
Si8275ABD-IS1
TTL
1.8 a 、 4 a
5.5 V, 30V
14
18ns
QFN
1
16ns
高侧和低侧
独立
2
半桥
反相
表面贴装
SI8274AB1-IM1
24V
16
SOIC W
12ns
隔离栅极驱动器
2
非反相
表面贴装
SI82396BD-IS
TTL
1.8 a 、 4 a
5.5 V, 30V
14
18ns
QFN
1
16ns
高侧和低侧
独立
75ns
2
半桥
反相
表面贴装
SI8273ABD-IM1
TTL
1.8 a 、 4 a
5.5 V, 30V
8
18ns
SOIC
1
16ns
隔离栅极驱动器
独立
75ns
1
半桥
反相
表面贴装
Si8271BBD-IS
TTL
1.8 a 、 4 a
5.5 V, 30V
14
18ns
QFN
1
16ns
隔离栅极驱动器
独立
75ns
2
半桥
反相
表面贴装
Si8275DAD-IM1
24V
16
SOIC W
12ns
隔离栅极驱动器
2
非反相
表面贴装
Si82396BD-IS
TTL
1.8 a 、 4 a
5.5 V, 30V
14
18ns
QFN
1
16ns
高侧和低侧
独立
60ns
2
半桥
反相
表面贴装
SI8273AB-IM1
24V
16
SOIC W
12ns
隔离栅极驱动器
2
非反相
表面贴装
SI82394BD-IS
6 A
5.5V
16
SOIC
隔离栅极驱动器
2
Si823H6BB-IS1
对比栏

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