|
|
CY8C5668AXI-LP010 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
62 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 2x12b，D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
100-TQFP（14x14） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
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|
CY8C5867AXI-LP024 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
62 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
32K x 8 |
A/D 1x20b，1x12b，D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
100-TQFP（14x14） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
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|
|
CY8C5888LTI-LP097 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
80MHz |
CAN，I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
38 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 1x20b，2x12b，D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN（8x8） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
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|
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|
|
|
|
|
CY8C5668AXI-LP034 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
62 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 2x12b，D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
100-TQFP（14x14） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
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|
CYBT-483039-02 |
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|
1 级 |
5 |
20dBm |
-95dBm |
|
I2C, SPI, UART |
18.59 x 12.75 x 1.8mm |
1.8mm |
18.59mm |
85°C |
-30 °C |
12.75mm |
|
|
CY8C5666LTI-LP005 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
38 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
16K x 8 |
A/D 2x12b，D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN（8x8） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
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|
CYBLE-224110-00 |
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|
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|
|
4.1 |
9.5dBm |
-95dBm |
I2C、SPI、UART |
|
15.4 x 9.5 x 1.8mm |
1.8mm |
9.5mm |
105 °C |
-40°C |
15.4mm |
|
|
CY8C5868LTI-LP038 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
38 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 1x20b，2x12b，D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN（8x8） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
|
|
|
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|
|
|
|
S6E2H14G0AGB3000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
100 |
288KB（288K x 8） |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 24x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
121-TFBGA |
121-FBGA（6x6） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
26 周 |
|
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|
|
|
|
|
CY8C3866AXI-040 |
8051 |
8-位 |
67MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
62 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
8K x 8 |
A/D 1x20b，D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
100-TQFP（14x14） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
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|
|
|
|
|
|
|
|
CY8C5866AXI-LP021 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
62 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
16K x 8 |
A/D 1x20b，1x12b，D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
100-TQFP（14x14） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CY8C5668LTI-LP014 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
38 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 2x12b，D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN（8x8） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MB9BF568RPMC-G-JNE2 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，SD，UART/USART，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
100 |
1.03125MB（1.03125M x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 24x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
120-LQFP |
120-LQFP（16x16） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
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|
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|
|
|
|
|
CYBLE-022001-00 |
|
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|
|
|
|
|
|
4.1 |
3dBm |
-87dBm |
I2C、SPI、UART |
串联 |
10 x 10 x 1.8mm |
1.8mm |
10mm |
85°C |
-40°C |
10mm |
|
|
CY8C3866AXI-208 |
8051 |
8-位 |
67MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
62 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
8K x 8 |
A/D 1x20b，D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
100-TQFP（14x14） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
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|
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|
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|
|
|
|
CYBT-343151-02 |
|
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|
|
|
|
|
|
|
|
1 级，2 级 |
5 |
9 dBm, 12dBm |
-96.5 dBm, -95.5dBm |
|
|
12 x 15.5 x 1.95mm |
1.95mm |
12mm |
105 °C |
-30 °C |
15.5mm |
|
|
CYBT-423028-02 |
|
|
|
|
|
|
|
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|
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|
|
MB9BFD18TBGL-GK7E1 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
144MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SD，ART/USART，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
154 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
192-LFBGA |
192-FBGA（12x12） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
22 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CYBT-353027-02 |
|
|
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|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 级，2 级 |
5 |
12dBm |
-96.5dBm |
I2C, I2S, SPI, UART |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
S6E2G38J0AGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，智能卡，SPI，UART/USART，USB |
DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
153 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
- |
192K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
176-LQFP |
176-LQFP（24x24） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
|
|
|
|
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|
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|
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