|
MB9BF218SPMC-GE1 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
144MHz |
CSIO,EBI/EMI,以太网,I²C,LIN,UART/USART,USB |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
122 |
1MB(1M x 8) |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 24x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
144-LQFP |
144-LQFP(20x20) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
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CY8C3444AXI-116 |
8051 |
8-位 |
50MHz |
EBI/EMI,I²C,LIN,SPI,UART/USART |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
512 x 8 |
2K x 8 |
A/D 1x12b,D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
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|
CY8C5667AXQ-LP040 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
128KB(128K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
32K x 8 |
A/D 2x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
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S6E2HG4G0AGV20000 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CAN,CSIO,EBI/EMI,I²C,LIN,SD,UART/USART |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
100 |
288KB(288K x 8) |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 24x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
120-LQFP |
120-LQFP(16x16) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
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CY8CLED04D01-56LTXI |
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QFN |
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- |
- |
微控制器 |
LED |
CMOS |
表面贴装 |
56 |
8 x 8 x 0.9mm |
8mm |
5.25 V |
85°C |
4.75 V |
-40°C |
- |
|
|
|
|
|
|
S6E2H46F0AGV20000 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CAN,CSIO,EBI/EMI,I²C,LIN,UART/USART |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
80 |
544KB(544K x 8) |
闪存 |
- |
64K x 8 |
A/D 24x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
100-LQFP |
100-LQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
21 周 |
|
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|
S6E2HG6F0AGV20000 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CAN,CSIO,EBI/EMI,I²C,LIN,SD,UART/USART |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
80 |
544KB(544K x 8) |
闪存 |
- |
64K x 8 |
A/D 24x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
100-LQFP |
100-LQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
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|
|
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|
|
S6E2HG6G0AGV20000 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CAN,CSIO,EBI/EMI,I²C,LIN,SD,UART/USART |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
100 |
544KB(544K x 8) |
闪存 |
- |
64K x 8 |
A/D 24x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
120-LQFP |
120-LQFP(16x16) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
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CYBLE-222014-01 |
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|
10 x 10 x 1.6mm |
10mm |
|
85°C |
|
-40°C |
|
4.2 |
3dBm |
-87dBm |
1.6mm |
10mm |
|
CY8C3666AXI-036 |
8051 |
8-位 |
67MHz |
EBI/EMI,I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
8K x 8 |
A/D 1x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
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|
CY8CLED04D01-56LTXI |
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|
QFN |
|
|
- |
- |
微处理器 |
汽车,电容性感应,控制器,嵌入式,闪存,LCD,LED,USB |
CMOS |
表面贴装 |
56 |
8 x 8 x 0.85mm |
8mm |
32 V |
85 °C |
7 V |
-40 °C |
- |
|
|
|
|
|
|
S6E2H44G0AGB3000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CAN,CSIO,EBI/EMI,I²C,LIN,UART/USART |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
100 |
288KB(288K x 8) |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 24x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
121-TFBGA |
121-FBGA(6x6) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
19 周 |
|
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|
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|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
S6E2HE4E0AGV20000 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CSIO,EBI/EMI,I²C,LIN,SD,UART/USART |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
63 |
288KB(288K x 8) |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 16x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
80-LQFP |
80-LQFP(12x12) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
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|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
S6E2H14E0AGV20000 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CSIO,EBI/EMI,I²C,LIN,UART/USART |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
63 |
288KB(288K x 8) |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 16x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
80-LQFP |
80-LQFP(12x12) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
21 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CY8C29866-24AXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
64 |
32KB(32K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 4x14b;D/A 4x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CY8C5667LTI-LP041 |
|
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|
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|
|
|
|
QFN |
|
|
- |
- |
微控制器 |
汽车,电容性感应,控制器,嵌入式,闪存,LCD,LED,USB |
CMOS |
表面贴装 |
68 |
8 x 8 x 0.95mm |
8mm |
5.5 V |
85 °C |
1.71 V |
-40 °C |
- |
|
|
|
|
|
|
CY8C4248BZI-L489 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
48MHz |
CAN,I²C,IrDA,LIN,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART |
掉电检测/复位.电容感应, DMA, LCD, LVD, POR, PWM, 智能检测, WDT |
98 |
256KB(256K x 8) |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D - 12b SAR |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
124-VFBGA |
124-VFBGA(9x9) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CY8C29566-24AXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
40 |
32KB(32K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 4x14b;D/A 4x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
44-LQFP |
44-TQFP(10x10) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CY8C3665LTI-044 |
8051 |
8-位 |
67MHz |
EBI/EMI,I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,POR,PWM,WDT |
38 |
32KB(32K x 8) |
闪存 |
1K x 8 |
4K x 8 |
A/D 1x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN(8x8) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
S6E2H44E0AGV20000 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CAN,CSIO,EBI/EMI,I²C,LIN,UART/USART |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
63 |
288KB(288K x 8) |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 16x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
80-LQFP |
80-LQFP(12x12) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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|