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¥326.58
IC Micron 存储器 SDRAM 4GBIT 1.2GHZ 78BGA
京电港自营
自营
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MT40A1G4RH-083E:B
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR4
4Gb （1G x 4）
-
-
并联
1.14 V ~ 1.26 V
0°C ~ 95°C（TC）
表面贴装
78-TFBGA
78-FBGA（9x10.5）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR SDRAM 512MB 184UDIMM
京电港自营
自营
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MT9VDDT6472AY-40BF1
DDR SDRAM
512MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
184-UDIMM
¥94.77
Micron JR28F064M29EWTA 闪存, 64Mbit (4M x 16 位，8M x 8 位), 并行接口, 70ns, 2.7 → 3.6 V, 48引脚
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
JR28F064M29EWTA
表面贴装
-
-
-
TSOP
64Mbit
并行
48
4M x 16 位，8M x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M, 8M
70ns
8/16Bit
18.4 x 12 x 1mm
12mm
-40 °C
85 °C
18.4mm
1mm
-
-
¥23.79
IC Micron 存储器 FLASH 16MBIT 75MHZ 8UFDFPN
京电港自营
自营
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M25P16-VMC6TG TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
16Mb （2M x 8）
15ms，5ms
-
SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-UDFN 裸露焊盘
8-UFDFPN（MLP8）（4x3）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM
京电港自营
自营
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MT4HTF1664HY-40EB3
DDR2 SDRAM
128MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
200-SODIMM
询价
MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM
京电港自营
自营
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MT4HTF3264HY-667B4
DDR2 SDRAM
256MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
667MT/s
200-SODIMM
¥149.91
Micron JS28F512M29EWLA 闪存, 512Mbit (32M x 16 位，64M x 8 位), 并行接口, 110ns, 2.7 → 3.6 V, 56引脚
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
JS28F512M29EWLA
表面贴装
-
-
-
TSOP
512Mbit
并行
56
32M x 16 位，64M x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
32M, 64M
110ns
8/16Bit
18.4 x 14 x 1mm
14mm
-40 °C
85 °C
18.4mm
1mm
-
-
¥251.82
IC Micron 存储器 FLASH 8GBIT 48TSOP
京电港自营
自营
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MT29F8G08ABACAWP-IT:C TR
-
非易失
闪存
FLASH - NAND
8Gb （1G x 8）
-
-
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
48-TSOP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240UDIMM
京电港自营
自营
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MT18HTF25672AY-53EA1
DDR2 SDRAM
2GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-UDIMM
¥34.95
IC Micron 存储器 FLASH 16MBIT 1108MHZ 8LBGA
京电港自营
自营
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N25Q016A11E5140F TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
16Mb （4M x 4）
8ms，1ms
-
SPI
1.7 V ~ 2 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-XFBGA，CSPBGA
8-XFCSP（2x2.8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM
京电港自营
自营
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MT4HTF3264AY-667B1
DDR2 SDRAM
256MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
667MT/s
240-UDIMM
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
京电港自营
自营
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MT5VDDT3272HG-40BF2
DDR SDRAM
256MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
200-SODIMM
¥100.32
Micron JS28F256M29EWHA 闪存, 256Mbit (16M x 16 位，32M x 8 位), 并行接口, 110ns, 2.7 → 3.6 V, 56引脚
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
JS28F256M29EWHA
表面贴装
-
-
-
TSOP
256Mbit
并行
56
16M x 16 位，32M x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
16M, 32M
110ns
8/16Bit
18.4 x 14 x 1mm
14mm
-40 °C
85 °C
18.4mm
1mm
-
-
¥217.95
IC Micron 存储器 FLASH 256MBIT 710NS 56TSOP
京电港自营
自营
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M29DW256G70NF6E
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb （16M x 16）
70ns
70ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
56-TSOP（14x20）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 512MB 240RDIMM
京电港自营
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MT18HTF6472DY-40EB2
DDR2 SDRAM
512MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
240-RDIMM
¥1409.32
Micron 存储器模块 MODULE DDR3L SDRAM 8GB 204SODIMM
京电港自营
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MT16KTF1G64HZ-1G9P1
DDR3L SDRAM
8GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1866MT/s
204-SODIMM
¥162.36
Micron N25Q512A13GSF40G 闪存, 512Mbit (4M x 128 位), SPI接口, 5ns, 2.7 → 3.6 V, 16引脚 SOP封装
京电港自营
新品 自营
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N25Q512A13GSF40G
表面贴装
-
-
-
SOP
512Mbit
SPI
16
4M x 128 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M
5ns
128Bit
10.3 x 7.5 x 2.5mm
7.5mm
-40 °C
85 °C
10.3mm
2.5mm
-
-
¥143.61
IC Micron 存储器 SDRAM 256MBIT 167MHZ 54TSOP
京电港自营
自营
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MT48LC16M16A2P-6A:G
-
易失
DRAM
SDRAM
256Mb （16M x 16）
12ns
5.4ns
并联
3 V ~ 3.6 V
0°C ~ 70°C（TA）
表面贴装
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
54-TSOP II
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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Micron 存储器模块 MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
京电港自营
自营
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MT16VDDF6464HG-40BG2
DDR SDRAM
512MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
200-SODIMM
¥1783.26
Micron 存储器模块 MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
京电港自营
自营
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MT9VDDT3272HG-40BG2
DDR SDRAM
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
200MHz
200-SODIMM

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