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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
2 NPN(双)
EMX1DXV6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
50V
100mA
500mW
400mV @ 5mA,50mA
500nA(ICBO)
120 @ 1mA,6V
180MHz
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5234DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150MHz
200mW
70 @ 1mA,10V
30mA
NPN
MSC2295-BT1G
-
表面贴装
SC-59
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C(TJ)
PNP
MMBT2907AM3T5G
-
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
60V
600mA
265mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
1.6V @ 50mA,500mA
10nA(ICBO)
100 @ 150mA,10V
200MHz
NPN
BD787G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
4A
15W
-65°C ~ 150°C(TJ)
2.5V @ 800mA,4A
100µA
40 @ 200mA,3V
50MHz
¥5.37
自营
NTMFS4926NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta),44A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
17.3nC @ 10V
1004pF @ 15V
920mW(Ta),21.6W(Tc)
7 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC114YPDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSVBC143TPDXV6T1G
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥145.65
自营
NGTB40N120S3WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
沟槽型场截止
1200V
160A
160A
1.95V @ 15V,40A
454W
2.2mJ(开),1.1mJ(关)
标准
12ns/145ns
600V,40A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
35 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
150mW
-
UMC3NT1G
-
SC-88A(SC-70-5 / SOT-353)
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
15 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC143EDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2V7002KT1G
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
320mA(Ta)
4.5V,10V
2.3V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
300mW(Tj)
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
1HP04CH-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
170mA(Ta)
4V,10V
2.6V @ 100µA
0.9nC @ 10V
14pF @ 20V
-
18 欧姆 @ 80mA,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.27
自营
SCH1337-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2A(Ta)
4V,10V
-
3.9nC @ 10V
172pF @ 10V
800mW(Ta)
150 毫欧 @ 1A,10V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN
BD441G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
80V
4A
36W
-55°C ~ 150°C(TJ)
800mV @ 300mA,3A
100µA(ICBO)
40 @ 500mA,1V
3MHz
NPN
MJ15015G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
120V
15A
180W
-65°C ~ 200°C(TJ)
5V @ 7A,15A
100µA
10 @ 4A,2V
6MHz
NPN
MJF15030G
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
150V
8A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
500mV @ 100mA,1A
10µA
20 @ 4A,2V
30MHz
NPN,PNP
EMZ1DXV6T5
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
60V
100mA
500mW
400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA
500nA(ICBO)
120 @ 1mA,6V
180MHz,140MHz
PNP
MMBT4403WT1G
-
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
40V
600mA
150mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
750mV @ 50mA,500mA
-
100 @ 150mA,2V
200MHz
NPN
MJD31CT4G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
100V
3A
1.56W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.2V @ 375mA,3A
50µA
10 @ 3A,4V
3MHz
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