购物车中还没有商品,赶紧选购吧!
更多选项
 ~ 
9/69

1361 符合条件

已选择条件
产品图片
产品详情
频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥3.06
自营
NTGS4111PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.6A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
32nC @ 10V
750pF @ 15V
630mW(Ta)
60 毫欧 @ 3.7A,10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
NPN
MJ15003G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
140V
20A
250W
-65°C ~ 200°C(TJ)
1V @ 500mA,5A
250µA
25 @ 5A,2V
2MHz
PNP - 达林顿
BDX54BG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
80V
8A
65W
-65°C ~ 150°C(TJ)
2V @ 12mA,3A
500µA
750 @ 3A,3V
-
PNP
BC858ALT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
30V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
125 @ 2mA,5V
100MHz
PNP
PZT751T1G
-
表面贴装
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
60V
2A
800mW
150°C(TJ)
500mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
75 @ 1A,2V
75MHz
¥67.71
自营
NGTG35N65FL2WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
场截止
650V
70A
120A
2V @ 15V,35A
300W
840µJ(开),280µJ(关)
标准
72ns/132ns
400V,35A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
SMUN5231DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC124EPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥5.52
自营
NTD3055L104T4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
12A(Ta)
5V
2V @ 250µA
20nC @ 5V
440pF @ 25V
1.5W(Ta),48W(Tj)
104 毫欧 @ 6A,5V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
2 NPN(双)
CPH6532-TL-E
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
50V
1A
1.1W
190mV @ 10mA,500mA
100nA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
420MHz
¥25.17
自营
NTMFS5C430NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
35A(Ta),185A(Tc)
10V
3.5V @ 250µA
10nC @ 10V
3300pF @ 25V
3.8W(Ta), 106W(Tc)
1.7 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
1.7GHz
100mW
80 @ 3mA,2V
50mA
NPN
2SC5536A-TL-H
-
表面贴装
3-SSFP
SC-81
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
150°C(TJ)
¥4.02
自营
NTMFS4C09NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
10.9nC @ 4.5V
1252pF @ 15V
760mW(Ta),25.5W(Tc)
5.8 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
NPN
2SC5707-E
-
通孔
TP
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
50V
8A
1W
150°C(TJ)
240mV @ 175mA,3.5A
100nA(ICBO)
200 @ 500mA,2V
330MHz
PNP
2SB1123T-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
50V
2A
500mW
150°C(TJ)
700mV @ 50mA,1A
100nA(ICBO)
100 @ 100mA,2V
150MHz
NPN
BD243CG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
100V
6A
65W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.5V @ 1A,6A
700µA
15 @ 3A,4V
3MHz
NPN
2SD1816T-TL-H
-
表面贴装
2-TP-FA
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
100V
4A
1W
150°C(TJ)
400mV @ 200mA,2A
1µA(ICBO)
200 @ 500mA,5V
180MHz
2 NPN(双)
BC847CDXV6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
45V
100mA
500mW
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
100MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC124XPDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
PNP
50A02SS-TL-E
-
表面贴装
3-SSFP
SC-81
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
50V
400mA
200mW
150°C(TJ)
120mV @ 10mA,100mA
100nA(ICBO)
200 @ 10mA,2V
690MHz
对比栏

1

您还可以继续添加

2

您还可以继续添加

3

您还可以继续添加

4

您还可以继续添加