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¥8.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN
京电港自营
自营
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ZXMN3AMCTA
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
2.9A
120 毫欧 @ 2.5A，10V
3V @ 250µA
3.9nC @ 10V
190pF @ 25V
1.7W
表面贴装
8-DFN（3x2）
8-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.75
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI
京电港自营
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DMN2028UFDH-7
-
2 N 沟道（双）共漏
逻辑电平门
20V
6.8A
20 毫欧 @ 4A，10V
1V @ 250µA
8.5nC @ 4.5V
151pF @ 10V
1.1W
表面贴装
PowerDI3030-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥26.37
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
京电港自营
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ZXMHC3F381N8TC
-
2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
逻辑电平门
30V
3.98A，3.36A
33 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
9nC @ 10V
430pF @ 15V
870mW
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
京电港自营
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DI9942T
-
N 和 P 沟道
标准
20V
2.5A
-
-
-
-
1.6W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
京电港自营
自营
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DMG6898LSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
9.5A
16 毫欧 @ 9.4A，4.5V
1.5V @ 250µA
26nC @ 10V
1149pF @ 10V
1.28W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.79
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
京电港自营
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DMG1024UV-7
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
1.38A
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 16V
530mW
表面贴装
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥15.09
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
京电港自营
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DMN2016UTS-13
-
2 N 沟道（双）共漏
逻辑电平门
20V
8.58A
14.5 毫欧 @ 9.4A，4.5V
1V @ 250µA
16.5nC @ 4.5V
1495pF @ 10V
880mW
表面贴装
8-TSSOP
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
京电港自营
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DMG4932LSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
9.5A
15 毫欧 @ 9A，10V
2.4V @ 250µA
42nC @ 10V
1932pF @ 15V
1.19W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
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DMP57D5UV-7
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
50V
160mA
6 欧姆 @ 100mA，4V
1V @ 250µA
-
29pF @ 25V
400mW
表面贴装
SOT-563
SOT-563，SOT-666
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥10.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
京电港自营
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DMNH6022SSDQ-13
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
7.1A，22.6A
27 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
32nC @ 30V
2127pF @ 25V
1.5W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.85
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
京电港自营
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DMN2023UCB4-7
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
-
-
-
-
29nC @ 4.5V
-
1.45W
表面贴装
X1-WLB1818-4
4-XFBGA，WLBGA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.19
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
京电港自营
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DMC2038LVT-7
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
3.7A，2.6A
35 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
17nC @ 10V
530pF @ 10V
800mW
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥11.97
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
京电港自营
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ZXMP6A16DN8TC
-
2 个 P 沟道（双）
标准
60V
2.9A
85 毫欧 @ 2.9A，10V
1V @ 250µA（最小）
24.2nC @ 10V
1021pF @ 30V
1.25W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
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DMC3021LSD-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
8.5A，7A
21 毫欧 @ 7A，10V
2.1V @ 250µA
16.1nC @ 10V
767pF @ 10V
2.5W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
京电港自营
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ZXMN3A06DN8TC
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
4.9A
35 毫欧 @ 9A，10V
1V @ 250µA（最小）
17.5nC @ 10V
796pF @ 25V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥10.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI
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DMNH6021SPD-13
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
8.2A，32A
25 毫欧 @ 15A，10V
3V @ 250µA
20.1nC @ 10V
1143pF @ 25V
1.5W
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
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DMG9926USD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
8A
24 毫欧 @ 8.2A，4.5V
900mV @ 250µA
8.8nC @ 4.5V
867pF @ 15V
1.3W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6
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BSS138DW-7
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
50V
200mA
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
50pF @ 10V
200mW
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥7.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN
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DMC1029UFDB-7
-
N 和 P 沟道
标准
12V
5.6A，3.8A
29 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
19.6nC @ 8V
914pF @ 6V
1.4W
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26
京电港自营
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DMC25D0UVT-7
-
N 和 P 沟道
标准
25V，30V
400mA，3.2A
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.5V @ 250µA
0.7nC @ 8V
26.2pF @ 10V
1.2W
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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