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安装类型
封装/外壳
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高度 - 安装(最大值)
包装
原产地
达标情况
容差
反向漏电流
正向电压
产品系列
整流器类型
最大连续正向电流
最大正向电压降
速度
峰值反向电流
不同 Vr,F 时的电容
频率稳定度
等级
产品类型
技术类型
峰值反向重复电压
峰值平均正向电流
峰值正向电压
产品包装
配置
功率 - 最大值
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
供应商器件封装
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
晶体管类型
最大集电极电流
基底电阻器
发射极基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
最大功率
原厂标准交货期
阻抗(最大值)(Zzt)
¥7.11
自营
FL2400022
SaRonix-eCera™ FL
MHz 晶体
24MHz
±10ppm
10pF
50 欧姆
基谐
-25°C ~ 85°C
表面贴装
4-SMD,无引线
0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
0.030"(0.75mm)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
±10ppm
-
FZT851TA
-
表面贴装
TO-261-4,TO-261AA
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-223
6A
60V
375mV @ 300mA,6A
50nA(ICBO)
100 @ 2A,1V
3W
130MHz
NPN
ZXMN2A02N8TA
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8-SO
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
700mV @ 250µA
18.9nC @ 4.5V
1900pF @ 10V
±12V
-
1.56W(Ta)
20 毫欧 @ 11A,4.5V
16 周
¥62.49
自营
LVCMOS
3.3V
0.053"(1.35mm)
40mA
4-SMD,无引线
0.197" 长 x 0.126" 宽(5.00mm x 3.20mm)
HX51706001
SaRonix-eCera™ HX
XO(标准)
-40°C ~ 105°C
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
±50ppm
BST52TA
-
表面贴装
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-89-3
500mA
80V
1.3V @ 500µA,500mA
10µA
1000 @ 150mA,10V
1W
-
NPN - 达林顿
16 周
DMP3017SFG-13
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
PowerDI3333-8
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
41nC @ 10V
2246pF @ 15V
±25V
-
940mW(Ta)
10 毫欧 @ 11.5A,10V
16 周
DO-214AA,SMB
B280-13-F
-65°C ~ 150°C
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
肖特基
2A
790mV @ 2A
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
7mA @ 80V
75pF @ 4V,1MHz
SMB
DMMT5551S-7-F
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
200mA
160V
200mV @ 5mA,50mA
50nA(ICBO)
80 @ 10mA,5V
300mW
300MHz
2 NPN(双)配对
8 周
DF005S-T
表面贴装
4-SMD,鸥翼型
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10µA @ 50V
单相
标准
50V
1A
1.1V @ 1A
标准卷带
DF-S
25 周
BZX84C3V0S-7-F
-
-65°C ~ 150°C
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
±6%
2 个独立式
200 mW
{id:10 µA @ 1 V,value:10 µA @ 1 V
3 V
{id:900 mV @ 10 mA,value:900 mV @ 10 mA
SOT-363
95 Ohms
DDTB122JC-7-F
200MHz
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-23-3
PNP - 预偏压
500mA
220
4.7k
47 @ 50mA,5V
300mV @ 2.5mA,50mA
500nA
200mW
12 周
RS402LDI-F
通孔
4-SIP,RS-4L
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10µA @ 100V
单相
标准
100V
4A
1V @ 3A
散装
RS-4L
MMBZ5242BTS-7-F
-
-65°C ~ 150°C
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
卷带(TR)
±5%
3 个独立式
200 mW
{id:1 µA @ 9.1 V,value:1 µA @ 9.1 V
12 V
{id:900 mV @ 10 mA,value:900 mV @ 10 mA
SOT-363
30 Ohms
DDTC144WKA-7-F
250MHz
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SC-59-3
NPN - 预偏压
100mA
47k
22k
56 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
200mW
DMP2225L-7
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-23-3
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
1.25V @ 250µA
5.3nC @ 4.5V
250pF @ 10V
±12V
-
1.08W(Ta)
110 毫欧 @ 2.6A,4.5V
8 周
¥13.08
自营
FW2600018
SaRonix-eCera™ FW
MHz 晶体
26MHz
±10ppm
9pF
60 欧姆
基谐
-20°C ~ 75°C
表面贴装
4-SMD,无引线
0.079" 长 x 0.063" 宽(2.00mm x 1.60mm)
0.022"(0.55mm)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
±10ppm
-
FMMT734TA
-
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-23-3
800mA
100V
1.05V @ 5mA,1A
200nA
20000 @ 100mA,5V
625mW
140MHz
PNP - 达林顿
MMSZ5243B-7
-
-65°C ~ 150°C
表面贴装
SOD-123
剪切带(CT)
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
±5%
500nA @ 9.9V
900mV @ 10mA
SOD-123
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