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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
原厂标准交货期
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥11.04
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
京电港自营
自营
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MMDT4401-7-F
2 NPN（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
600mA
40V
750mV @ 50mA，500mA
-
100 @ 150mA，1V
200mW
250MHz
-
¥1.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3
京电港自营
自营
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DMP21D2UFA-7B
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
49pF @ 15V
±8V
-
360mW（Ta）
1 欧姆 @ 200mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
16 周
¥4.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-SOIC
京电港自营
自营
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DMP3056LSS-13
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
6.8nC @ 4.5V
722pF @ 25V
±20V
-
2.5W（Ta）
45 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
20 周
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
京电港自营
自营
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DCX114EU-7
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
10k
10k
30 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥15.09
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 1A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX450
NPN
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
45V
250mV @ 15mA，150mA
100nA（ICBO）
100 @ 150mA，10V
1W
150MHz
通孔
-
16 周
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
自营
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DDTA124XUA-7
PNP - 预偏压
47k
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
22k
68 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥14.43
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 140V 1A SOT23-3
京电港自营
自营
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ZXTP25140BFHTA
PNP
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
140V
260mV @ 100mA，1A
50nA（ICBO）
100 @ 10mA，2V
1.25W
75MHz
表面贴装
-
¥4.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
京电港自营
自营
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DMN3032LFDBQ-7
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
1W
-
16 周
2 个 N 沟道（双）
标准
30V
6.2A
30 毫欧 @ 5.8A，10V
2V @ 250µA
10.6nC @ 10V
500pF @ 15V
¥1.44
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
京电港自营
自营
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DDTA124GE-7-F
PNP - 预偏压
22k
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
-
56 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
150mW
-
16 周
¥0.90
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 0.1A SOT523
京电港自营
自营
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BC847AT-7-F
NPN
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
100mA
45V
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
110 @ 2mA，5V
150mW
100MHz
表面贴装
-
¥3.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI
京电港自营
自营
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DMN3018SFG-7
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
13.2nC @ 10V
697pF @ 15V
±25V
-
1W（Ta）
21 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
16 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
京电港自营
自营
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DMP1045U-7
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
15.8nC @ 4.5V
1357pF @ 10V
±8V
-
800mW（Ta）
31 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
8 周
¥6.48
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
京电港自营
自营
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DMN4026SSD-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
1.3W
-
20 周
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
40V
7A
24 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
19.1nC @ 10V
1060pF @ 20V
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 300V 0.5A SM8
京电港自营
自营
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ZDT6757TA
NPN，PNP
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
500mA
300V
500mV @ 10mA，100mA
100nA（ICBO）
50 @ 100mA，5V
2.75W
30MHz
-
¥2.79
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
京电港自营
自营
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DMN3018SSS-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
13.2nC @ 10V
697pF @ 15V
±25V
-
1.4W（Ta）
21 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
20 周
¥20.97
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-SO
京电港自营
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DMP6023LSS-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
53.1nC @ 10V
2569pF @ 30V
±20V
-
1.2W（Ta）
25 毫欧 @ 5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
20 周
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
京电港自营
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DDA114TU-7
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
10k
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 100µA，1mA
-
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥17.82
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 20V 5A SOT23F-3
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ZXTP19020CFFTA
PNP
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
5A
20V
135mV @ 500mA，5A
50nA（ICBO）
200 @ 100mA，2V
1.5W
200MHz
表面贴装
-
16 周
¥0.84
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
京电港自营
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DDTC144GUA-7-F
NPN - 预偏压
47k
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
-
68 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
¥0.81
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
京电港自营
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BC846B-7-F
NPN
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
100mA
65V
600mV @ 5mA，100mA
15nA
200 @ 2mA，5V
300mW
300MHz
表面贴装
-

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