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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥35.19
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 40V 100A TO252
京电港自营
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DMTH4004LK3Q-13
TO-252-4L
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3V @ 250µA
83nC @ 10V
4450pF @ 25V
-
3.9W（Ta）, 180W（Tc）
3 毫欧 @ 50A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
-
¥2.22
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
京电港自营
自营
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DDA114TH-7
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
10k
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 100µA，1mA
-
250MHz
150mW
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥9.57
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
京电港自营
自营
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DMT8012LFG-7
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
3V @ 250µA
34nC @ 10V
1949pF @ 40V
±20V
-
2.2W（Ta），30W（Tc）
16 毫欧 @ 12A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
京电港自营
自营
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DDA144EU-7
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
47k
47k
68 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.77
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
京电港自营
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DMP2021UFDE-7
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
59nC @ 8V
2760pF @ 15V
±10V
-
1.9W（Ta）
16 毫欧 @ 7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥8.13
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
自营
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DDTA115GUA-7
PNP - 预偏压
100k
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
-
82 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
¥0.87
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23-3
京电港自营
自营
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2N7002K-7
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 1mA
0.3nC @ 4.5V
50pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
2 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO
京电港自营
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DMN6040SSS-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
±20V
-
1.5W（Ta）
40 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥10.62
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 40V 3A D-PAK
京电港自营
自营
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ZXT790AKTC
PNP
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
3A
40V
450mV @ 300mA，3A
20nA
300 @ 10mA，2V
3.9W
100MHz
表面贴装
-
¥12.18
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006H4-3
京电港自营
自营
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DP0150ALP4-7B
PNP
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
100mA
50V
300mV @ 10mA，100mA
100nA（ICBO）
120 @ 2mA，6V
450mW
80MHz
表面贴装
-
¥1.44
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
京电港自营
自营
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DDTA124GE-7-F
PNP - 预偏压
22k
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
100mA
-
56 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
150mW
-
¥0.90
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 0.1A SOT523
京电港自营
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BC847AT-7-F
NPN
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
100mA
45V
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
110 @ 2mA，5V
150mW
100MHz
表面贴装
-
¥10.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO
京电港自营
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DMC4015SSD-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
-
表面贴装
1.2W
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
40V
8.6A，6.2A
15 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
40nC @ 10V
1810pF @ 20V
¥11.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
京电港自营
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DMG3413L-7
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.3V @ 250µA
9nC @ 4.5V
857pF @ 10V
±8V
-
700mW（Ta）
95 毫欧 @ 3A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥1.80
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
京电港自营
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DCX142TU-7-F
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
470
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
-
200MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
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DMN2046U-13
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.4V @ 250µA
3.8nC @ 4.5V
292pF @ 10V
±12V
-
760mW（Ta）
72 毫欧 @ 3.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥1.02
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
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DDTC114YUA-7-F
NPN - 预偏压
47k
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
100mA
10k
68 @ 5mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
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DMC3025LSD-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
-
表面贴装
1.2W
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.5A，4.2A
20 毫欧 @ 7.4A，10V
2V @ 250µA
9.8nC @ 10V
501pF @ 15V
¥8.34
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
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DDTC125TE-7
NPN - 预偏压
-
SOT-523
SOT-523
剪切带（CT）
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
200k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 50µA，500µA
500nA（ICBO）
250MHz
150mW
-
¥16.89
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
京电港自营
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ZXTD4591E6TA
NPN，PNP
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
60V
600mV @ 100mA，1A / 500mV @ 100mA，1A
100nA
100 @ 500mA，5V
1.1W
150MHz
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