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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥7.56
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 4A SOT23-3
京电港自营
自营
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ZXTP2027FTA
PNP
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
4A
60V
240mV @ 200mA，4A
20nA（ICBO）
100 @ 2A，2V
1.2W
165MHz
表面贴装
-
¥10.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI
京电港自营
自营
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DMNH6021SPD-13
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
表面贴装
1.5W
-
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
8.2A，32A
25 毫欧 @ 15A，10V
3V @ 250µA
20.1nC @ 10V
1143pF @ 25V
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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DDTA143XCA-7
PNP - 预偏压
10k
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
4.7k
30 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥1.89
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
京电港自营
自营
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BCW66HTA
NPN
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
800mA
45V
700mV @ 50mA，500mA
20nA
250 @ 100mA，1V
330mW
100MHz
表面贴装
-
¥2.22
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
京电港自营
自营
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DDC143TH-7
2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
4.7k
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，2.5mA
-
250MHz
150mW
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥39.69
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI
京电港自营
自营
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DMNH6008SPS-13
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
40.1nC @ 10V
2597pF @ 30V
±20V
-
3.3W（Ta）
8 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥10.38
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
京电港自营
自营
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DDTC114ELP-7
NPN - 预偏压
10k
3-DFN1006（1.0x0.6）
3-UFDFN
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
100mA
10k
100 @ 50mA，5V
300mV @ 10mA，70mA
1µA
250MHz
250mW
-
¥3.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020
京电港自营
自营
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DMT3006LFDF-13
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.7V，10V
3V @ 250µA
22.6nC @ 10V
1320pF @ 15V
±20V
-
800mW（Ta）
7 毫欧 @ 9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 300V 0.5A SM8
京电港自营
自营
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ZDT6757TC
NPN，PNP
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
500mA
300V
500mV @ 10mA，100mA
100nA（ICBO）
50 @ 100mA，5V
2.75W
30MHz
-
¥3.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SO
京电港自营
自营
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DMP2038USS-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.1V @ 250µA
14.4nC @ 4.5V
1496pF @ 15V
±8V
-
2.5W（Ta）
38 毫欧 @ 5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥13.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
BS107P
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.6V，5V
-
-
-
±20V
-
500mW（Ta）
30 欧姆 @ 100mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
通孔
-
¥22.08
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 60V 5A SOT89
京电港自营
自营
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ZXTN2010ZTA
NPN
SOT-89-3
TO-243AA
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
5A
60V
230mV @ 300mA，6A
50nA（ICBO）
100 @ 2A，1V
2.1W
130MHz
表面贴装
-
¥1.86
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 40V 2A SOT363
京电港自营
自营
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DSS4240Y-7
NPN
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
2A
40V
320mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
300 @ 1A，2V
625mW
250MHz
表面贴装
-
¥2.49
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 1A SOT89
京电港自营
自营
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BCX5110TA
PNP
SOT-89
TO-243AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
1A
45V
500mV @ 50mA，500mA
100nA（ICBO）
63 @ 150mA，2V
1W
150MHz
表面贴装
-
¥4.29
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
京电港自营
自营
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DMN3035LWN-7
V-DFN3020-8
8-PowerVDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
表面贴装
770mW
-
2 个 N 沟道（双）
标准
30V
5.5A
35 毫欧 @ 4.8A，10V
2V @ 250µA
9.9nC @ 10V
399pF @ 15V
¥7.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK
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ZXMN20B28KTC
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
8.1nC @ 5V
358pF @ 25V
±20V
-
2.2W（Ta）
750 毫欧 @ 2.75A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
京电港自营
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DDTC113ZUA-7
NPN - 预偏压
10k
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
1k
33 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
京电港自营
自营
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DDTC114WKA-7-F
NPN - 预偏压
4.7k
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
10k
24 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥10.14
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 50V 0.1A X1-DFN1006-3
京电港自营
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DN0150BLP4-7
NPN
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
100mA
50V
250mV @ 10mA，100mA
100nA（ICBO）
200 @ 2mA，6V
450mW
60MHz
表面贴装
-
¥1.80
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
京电港自营
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DCX114EU-7-F
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
10k
10k
30 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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