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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥6.09
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
自营
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DDTA124EUA-7-F
PNP - 预偏压
22k
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
100mA
22k
56 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
自营
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DDTA115EUA-7
PNP - 预偏压
100k
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
100k
82 @ 5mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥19.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
京电港自营
自营
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DMN4026SSDQ-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
-
表面贴装
1.3W
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
40V
7A
24 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
19.1nC @ 10V
1060pF @ 20V
¥5.40
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 20V 4A SOT23-3
京电港自营
自营
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ZXTP25020CFHTA
PNP
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
4A
20V
210mV @ 200mA，4A
50nA（ICBO）
200 @ 10mA，2V
1.25W
285MHz
表面贴装
-
¥25.50
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 4A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX951
PNP
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
4A
60V
300mV @ 400mA，4A
50nA（ICBO）
100 @ 1A，1V
1.2W
120MHz
通孔
-
¥7.56
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 4A SOT23-3
京电港自营
自营
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ZXTP2027FTA
PNP
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
4A
60V
240mV @ 200mA，4A
20nA（ICBO）
100 @ 2A，2V
1.2W
165MHz
表面贴装
-
¥4.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
京电港自营
自营
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DMS2120LFWB-7
8-DFN3020B（3x2）
8-VDFN 裸露焊盘
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.3V @ 250µA
-
632pF @ 10V
±12V
肖特基二极管（隔离式）
1.5W（Ta）
95 毫欧 @ 2.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥1.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
京电港自营
自营
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DMG2305UXQ-13
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
10.2nC @ 4.5V
808pF @ 15V
±8V
-
1.4W（Ta）
52 毫欧 @ 4.2A、 4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥13.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMG4800LSD-13
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
-
表面贴装
1.17W
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
7.5A
16 毫欧 @ 9A，10V
1.6V @ 250µA
8.56nC @ 5V
798pF @ 10V
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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DDTA143XCA-7
PNP - 预偏压
10k
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
4.7k
30 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥16.74
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
ZXT12N50DXTA
2 NPN（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
3A
50V
250mV @ 50mA，3A
100nA
300 @ 1A，2V
1.04W
132MHz
-
¥1.89
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
京电港自营
自营
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BCW66HTA
NPN
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
800mA
45V
700mV @ 50mA，500mA
20nA
250 @ 100mA，1V
330mW
100MHz
表面贴装
-
¥2.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363
京电港自营
自营
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NMSD200B01-7
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
3V @ 1mA
-
50pF @ 25V
±20V
肖特基二极管（隔离式）
200mW（Ta）
3 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥7.35
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
京电港自营
自营
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ZXMP6A13GTA
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
5.9nC @ 10V
219pF @ 30V
±20V
-
2W（Ta）
390 毫欧 @ 900mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥2.22
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
京电港自营
自营
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DDC143TH-7
2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
4.7k
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，2.5mA
-
250MHz
150mW
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥10.38
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
京电港自营
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DDTC114ELP-7
NPN - 预偏压
10k
3-DFN1006（1.0x0.6）
3-UFDFN
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
100mA
10k
100 @ 50mA，5V
300mV @ 10mA，70mA
1µA
250MHz
250mW
-
¥7.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
京电港自营
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DMC2020USD-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
表面贴装
1.8W
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
7.8A，6.3A
20 毫欧 @ 7A，4.5V
1.5V @ 250µA
11.6nC @ 4.5V
1149pF @ 10V
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8
京电港自营
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ZDM4206NTC
SOT-223
SOT-223-8
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
2.75W
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
1A
1 欧姆 @ 1.5A，10V
3V @ 1mA
-
100pF @ 25V
¥22.08
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 60V 5A SOT89
京电港自营
自营
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ZXTN2010ZTA
NPN
SOT-89-3
TO-243AA
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
5A
60V
230mV @ 300mA，6A
50nA（ICBO）
100 @ 2A，1V
2.1W
130MHz
表面贴装
-
¥1.86
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 40V 2A SOT363
京电港自营
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DSS4240Y-7
NPN
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
2A
40V
320mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
300 @ 1A，2V
625mW
250MHz
表面贴装
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