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晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
原厂标准交货期
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
DDTC115TCA-7-F
NPN - 预偏压
-
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
100k
100 @ 1mA,5V
300mV @ 100µA,1mA
500nA(ICBO)
250MHz
200mW
-
12 周
DDTC143TCA-7
NPN - 预偏压
-
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
4.7k
100 @ 1mA,5V
300mV @ 250µA,2.5mA
500nA(ICBO)
250MHz
200mW
-
DCP68-25-13
NPN
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
20V
500mV @ 100mA,1A
100nA(ICBO)
160 @ 500mA,1V
1W
330MHz
表面贴装
-
13 周
DMT6004SCT
TO-220-3
TO-220-3
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
4V @ 250µA
95.4nC @ 10V
4556pF @ 30V
±20V
-
2.3W(Ta), 113W(Tc)
3.65 毫欧 @ 100A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
通孔
-
8 周
DCX114EU-7
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
10k
10k
30 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DMP3026SFDF-13
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4V,10V
3V @ 250µA
19.6nC @ 10V
1204pF @ 15V
±25V
-
2W(Ta)
19 毫欧 @ 4.5A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
DDTA124XUA-7
PNP - 预偏压
47k
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
22k
68 @ 10mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
200mW
-
ZDT758TC
2 PNP(双)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
500mA
400V
500mV @ 10mA,100mA
100nA
40 @ 200mA,10V
2.75W
50MHz
-
DMG7408SFG-7
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
17nC @ 10V
478.9pF @ 15V
±20V
-
1W(Ta)
23 毫欧 @ 10A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
16 周
ZXTN19060CGTA
NPN
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
7A
60V
300mV @ 700mA,7A
50nA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
3W
130MHz
表面贴装
-
MMST4126-7-F
PNP
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
200mA
25V
400mV @ 5mA,50mA
50nA(ICBO)
120 @ 2mA,1V
200mW
250MHz
表面贴装
-
DMMT5551-7
2 NPN(双)配对
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
200mA
160V
200mV @ 5mA,50mA
50nA(ICBO)
80 @ 10mA,5V
300mW
300MHz
-
DMN4031SSD-13
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
1.42W
-
20 周
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
40V
5.2A
31 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
18.6nC @ 10V
945pF @ 20V
DMT6010LFG-13
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2V @ 250µA
41.3nC @ 10V
2090pF @ 30V
±20V
-
2.2W(Ta),41W(Tc)
7.5 毫欧 @ 20A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
16 周
DDTC144GCA-7
NPN - 预偏压
47k
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
-
68 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA(ICBO)
250MHz
200mW
-
DDTC124EKA-7-F
NPN - 预偏压
22k
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
22k
56 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
200mW
-
FCX493TA
NPN
SOT-89-3
TO-243AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
100V
600mV @ 100mA,1A
100nA
100 @ 250mA,10V
1W
150MHz
表面贴装
-
16 周
DMG3418L-7
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,10V
1.5V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
464.3pF @ 15V
±12V
-
1.4W(Ta)
60 毫欧 @ 4A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
8 周
DDA114TU-7
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
10k
-
100 @ 1mA,5V
300mV @ 100µA,1mA
-
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DMN65D8LQ-7
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5V,10V
2V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
±20V
-
370mW(Ta)
3 欧姆 @ 115mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
12 周
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