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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
原厂标准交货期
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥4.89
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3
京电港自营
自营
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FMMT618TA
NPN
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2.5A
20V
200mV @ 50mA，2.5A
100nA
200 @ 2A，2V
625mW
140MHz
表面贴装
-
¥11.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
京电港自营
自营
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DMG3413L-7
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.3V @ 250µA
9nC @ 4.5V
857pF @ 10V
±8V
-
700mW（Ta）
95 毫欧 @ 3A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
8 周
¥1.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
京电港自营
自营
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DMN2046U-13
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.4V @ 250µA
3.8nC @ 4.5V
292pF @ 10V
±12V
-
760mW（Ta）
72 毫欧 @ 3.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
8 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
京电港自营
自营
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DMC3025LSD-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
1.2W
-
20 周
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.5A，4.2A
20 毫欧 @ 7.4A，10V
2V @ 250µA
9.8nC @ 10V
501pF @ 15V
¥16.89
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
京电港自营
自营
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ZXTD4591E6TA
NPN，PNP
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
60V
600mV @ 100mA，1A / 500mV @ 100mA，1A
100nA
100 @ 500mA，5V
1.1W
150MHz
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
京电港自营
自营
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DDA114TU-7
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
10k
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 100µA，1mA
-
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥11.97
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23
京电港自营
自营
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DMG6968U-7
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
8.5nC @ 4.5V
151pF @ 10V
±12V
-
1.3W（Ta）
25 毫欧 @ 6.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
8 周
¥0.84
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
京电港自营
自营
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DDTC144GUA-7-F
NPN - 预偏压
47k
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
-
68 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
¥7.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6
京电港自营
自营
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ZXM62P03E6TA
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
10.2nC @ 10V
330pF @ 25V
±20V
-
625mW（Ta）
150 毫欧 @ 1.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
16 周
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
自营
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DDTA122TU-7
PNP - 预偏压
-
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
220
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA（ICBO）
200MHz
200mW
-
¥7.14
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 120V 1.5A SOT223
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
FZT605TA
NPN - 达林顿
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1.5A
120V
1.5V @ 1mA，1A
10µA
2000 @ 1A，5V
2W
150MHz
表面贴装
-
¥82.32
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
FMMT413TD
NPN 雪崩模式
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
100mA
50V
150mV @ 1mA，10mA
100nA（ICBO）
50 @ 10mA，10V
330mW
150MHz
表面贴装
-
16 周
¥8.76
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 100V 2A SOT-223
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
FZT753TA
PNP
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2A
100V
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
100 @ 500mA，2V
2W
140MHz
表面贴装
-
¥5.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
京电港自营
自营
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DMT3020LFDB-7
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
表面贴装
700mW
-
16 周
2 个 N 沟道（双）
标准
30V
7.7A
20 毫欧 @ 9A，10V
3V @ 250µA
7nC @ 10V
393pF @ 15V
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
京电港自营
自营
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ZXMD63C02XTA
8-MSOP
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
1.04W
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
-
130 毫欧 @ 1.7A，4.5V
700mV @ 250µA（最小）
6nC @ 4.5V
350pF @ 15V
¥0.90
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
京电港自营
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DDTC115TCA-7-F
NPN - 预偏压
-
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
100k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 100µA，1mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
12 周
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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DDTC143TCA-7
NPN - 预偏压
-
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
4.7k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，2.5mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
¥2.10
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 20V 1A SOT-223
京电港自营
自营
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DCP68-25-13
NPN
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
20V
500mV @ 100mA，1A
100nA（ICBO）
160 @ 500mA，1V
1W
330MHz
表面贴装
-
13 周
¥46.65
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
京电港自营
自营
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DMT6004SCT
TO-220-3
TO-220-3
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
95.4nC @ 10V
4556pF @ 30V
±20V
-
2.3W（Ta）, 113W（Tc）
3.65 毫欧 @ 100A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
通孔
-
8 周
¥4.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
京电港自营
自营
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DMP3026SFDF-13
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V，10V
3V @ 250µA
19.6nC @ 10V
1204pF @ 15V
±25V
-
2W（Ta）
19 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
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