|
N79E352ALG |
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI,I²C,UART/USART |
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT |
38 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
N78E366ALG |
N78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT |
40 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
W79E2051RASG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
17 |
2KB(2K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
NANO100ND3BN |
NuMicro™ Nano100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
EBI/EMI,I²C,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT |
38 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 7x12b,D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
NANO112LB1AN |
NuMicro™ Nano112 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
32MHz |
I²C,IrDA,LIN,智能卡,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT |
40 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
NUC100LC1BN |
NuMicro™ NUC100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,DMA,I²S,LVD,POR,PS2,PWM,WDT |
35 |
32KB(32K x 8) |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
M0519SD3AE |
NuMicro M0519 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
72MHz |
I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,LVR,POR,PWM,WDT |
51 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
4K x 8 |
16K x 8 |
A/D 16x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
W79E8213RARG |
W79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
- |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
18 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
128 x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
NUC131SC2AE |
NuMicro™ NUC131 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
CAN,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT |
56 |
36KB(36K x 8) |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
N79E825ASG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C,UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
18 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
NUC131SD2AE |
NuMicro™ NUC131 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
CAN,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT |
56 |
68KB(68K x 8) |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
N79E824ARG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C,UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
18 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
W78E058DFG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI,UART/USART |
POR,WDT |
36 |
32KB(32K x 8) |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
W79E4051ASG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
17 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
W78I054DPG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI,UART/USART |
POR,WDT |
36 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
44-LCC(J 形引线) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
NANO112SB1AN |
NuMicro™ Nano112 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
32MHz |
I²C,IrDA,LIN,智能卡,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT |
58 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
|
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
NUC120LE3AN |
NuMicro™ NUC120 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C,IrDA,SPI,UART/USART,USB |
欠压检测/复位,DMA,I²S,LVD,POR,PS2,PWM,WDT |
31 |
128KB(128K x 8) |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
M0519LE3AE |
NuMicro M0519 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
72MHz |
I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,LVR,POR,PWM,WDT |
38 |
128KB(128K x 8) |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 16x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
NANO112RC2AN |
NuMicro™ Nano112 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
32MHz |
I²C,IrDA,LIN,智能卡,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT |
58 |
32KB(32K x 8) |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
N79E8432ASG |
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
I²C,UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
13 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
4K x 8 |
512 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |