|
|
NUC220LE3AN |
NuMicro™ NUC220 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
31 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC200LE3AN |
NuMicro™ NUC200 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
35 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W79E225ALG |
W79 |
8051/52 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
38 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
1K x 8 |
1.25K x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NUC100RC1BN |
NuMicro™ NUC100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，IrDA，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
49 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
W78I054DFG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W78I052DFG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W78L812A24FL |
W78 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
LED，WDT |
36 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
|
W78I054DPG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W78I052DPG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W78L812A24PL |
W78 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
LED，WDT |
36 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
|
M0519SE3AE |
NuMicro M0519 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
72MHz |
I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVR，POR，PWM，WDT |
51 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 16x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NANO120LD2BN |
NuMicro™ Nano120 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
I²C，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
34 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC100LD2DN |
NuMicro™ NUC100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，智能卡，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
37 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N78E517ADG |
N78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
32 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
40-DIP（0.600"，15.24mm） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NANO100ND3BN |
NuMicro™ Nano100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
EBI/EMI，I²C，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
38 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 7x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NANO100LD3BN |
NuMicro™ Nano100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
38 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 7x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NANO120LC2BN |
NuMicro™ Nano120 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
I²C，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
34 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC220LD2AN |
NuMicro™ NUC220 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
31 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N78E517APG |
N78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
36 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC100RC1DN |
NuMicro™ NUC100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，IrDA，智能卡，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
51 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
