|
|
W79E2051RASG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
17 |
2KB（2K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NANO100ND3BN |
NuMicro™ Nano100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
EBI/EMI，I²C，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
38 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 7x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NANO112LB1AN |
NuMicro™ Nano112 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
32MHz |
I²C，IrDA，LIN，智能卡，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT |
40 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC100LC1BN |
NuMicro™ NUC100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
35 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
M0519SD3AE |
NuMicro M0519 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
72MHz |
I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVR，POR，PWM，WDT |
51 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
16K x 8 |
A/D 16x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W79E8213RARG |
W79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
- |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
128 x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NUC131SC2AE |
NuMicro™ NUC131 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
CAN，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT |
56 |
36KB（36K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N79E352ALG |
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI，I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
38 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
N78E366ALG |
N78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
40 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N79E824ARG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W78E058DFG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W79E4051ASG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
17 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
W78I054DPG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NANO112SB1AN |
NuMicro™ Nano112 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
32MHz |
I²C，IrDA，LIN，智能卡，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT |
58 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
|
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC120LE3AN |
NuMicro™ NUC120 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
31 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
M0519LE3AE |
NuMicro M0519 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
72MHz |
I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVR，POR，PWM，WDT |
38 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 16x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N79E825ASG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NUC131SD2AE |
NuMicro™ NUC131 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
CAN，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT |
56 |
68KB（68K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N79E8432ASG |
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
13 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
512 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NANO120LC2BN |
NuMicro™ Nano120 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
I²C，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
34 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
