|
W79E2051ASG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
17 |
2KB(2K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
W79E2051ARG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
17 |
2KB(2K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
MINI51LDE |
NuMicro M051™ DE |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT |
29 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
W78E052DLG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI,UART/USART |
POR,WDT |
36 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
W79E2051RASG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
17 |
2KB(2K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
N79E8432ASG |
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
I²C,UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
13 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
4K x 8 |
512 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
W79E2051RARG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
17 |
2KB(2K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
N79E822ARG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C,UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
18 |
2KB(2K x 8) |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
N79E822ASG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C,UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
18 |
2KB(2K x 8) |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
N79E822ADG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C,UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
18 |
2KB(2K x 8) |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-DIP(0.300",7.62mm) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
MINI52LDE |
NuMicro Mini51™ DE |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT |
29 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
W78E051DLG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI,UART/USART |
POR,WDT |
36 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
W79E4051ASG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
17 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
W79E4051ARG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
17 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
W79E8213ASG |
W79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
- |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
18 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
128 x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
W78E052DPG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI,UART/USART |
POR,WDT |
36 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
44-LCC(J 形引线) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
W78C032C40FL |
W78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI,串行端口 |
- |
32 |
- |
ROMless |
- |
256 x 8 |
- |
内部 |
0°C ~ 70°C(TA) |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
W79E4051RASG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
17 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
W79E4051RARG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
17 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
N79E823ASG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C,UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
18 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |