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Micron Technology
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Micron PC28F512G18FE 闪存, 512Mbit (32M x 16 位), 并行接口, 96ns, 1.7 → 2 V, 64引脚 EBGA封装
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22.65
Micron N25Q032A13EF640E 闪存, 32Mbit (4M x 8 位), SPI接口, 5ns, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 MLP封装
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157.62
Micron N25Q512A11GSF40G 闪存, 512Mbit (4M x 128 位), SPI接口, 5ns, 1.7 → 2 V, 16引脚 SOP封装
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149.91
Micron JS28F512M29EWLA 闪存, 512Mbit (32M x 16 位,64M x 8 位), 并行接口, 110ns, 2.7 → 3.6 V, 56引脚
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36.00
Micron N25Q032A11ESE40F 闪存, 32Mbit (4M x 8 位), SPI接口, 7ns, 1.7 → 2 V, 8引脚 SOIC W封装
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82.44
Micron JR28F064M29EWLA 闪存, 64Mbit (4M x 16 位,8M x 8 位), 并行接口, 70ns, 2.7 → 3.6 V, 48引脚
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71.70
Micron PC28F256M29EWLA 闪存, 256Mbit (16M x 16 位,32M x 8 位), 并行接口, 100ns, 2.7 → 3.6 V, 64引脚
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27.78
Micron N25Q032A13EF640F 闪存, 32Mbit (4M x 8 位), SPI接口, 7ns, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 MLP封装
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145.62
Micron PC28F512M29EWLA 闪存, 512Mbit (32M x 16 位,64M x 8 位), 并行接口, 100ns, 2.7 → 3.6 V, 64引脚
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51.09
Micron N25Q064A11ESE40F 闪存, 64Mbit (8M x 8 位), SPI接口, 7ns, 1.7 → 2 V, 8引脚 SOIC W封装
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28.26
Micron M45PE16-VMW6G 闪存, 16Mbit (2M x 8 位), SPI接口, 5ns, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 SOIC封装
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16.11
Micron M25P40-VMN6PB 闪存, 4Mbit (512K x 8 位), SPI接口, 5ns, 2.3 → 3.6 V, 8引脚 SOIC封装
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162.36
Micron N25Q512A13GSF40G 闪存, 512Mbit (4M x 128 位), SPI接口, 5ns, 2.7 → 3.6 V, 16引脚 SOP封装
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537.93
Micron PC28F00AP33EFA 闪存, 1 Gbyte (64M x 16 位), 并行接口, 95ns, 2.3 → 3.6 V, 64引脚 EBGA封装
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90.78
Micron N25Q128A13ESE40G 闪存, 128Mbit (4M x 32 位), SPI接口, 5ns, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 SOIC W封装
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19.50
Micron N25Q032A13ESE40G 闪存, 32Mbit (4M x 8 位), SPI接口, 5ns, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 SOIC W封装
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Micron PC28F00AG18FE 闪存, 1 Gbyte (64M x 16 位), 并行接口, 96ns, 1.7 → 2 V, 64引脚 EBGA封装
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23.67
Micron M25P16-VMN6P 闪存, 16Mbit (2M x 8 位), SPI接口, 5ns, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 SOIC封装
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163.23
Micron N25Q128A13ESE40F 闪存, 128Mbit (16M x 8 位), SPI接口, 7ns, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 SOIC W封装
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Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 1GB 200SODIMM
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PC28F512G18FE
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Micron PC28F512G18FE 闪存, 512Mbit (32M x 16 位), 并行接口, 96ns, 1.7 → 2 V, 64引脚 EBGA封装
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PC28F512G18FE
EBGA
-
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512Mbit
并行
64
32M x 16 位
表面贴装
NOR
1.7 V
2 V
对称
32M
96ns
16Bit
10 x 8 x 1.2mm
8mm
-30 °C
85 °C
10mm
1.2mm
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N25Q032A13EF640E
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Micron N25Q032A13EF640E 闪存, 32Mbit (4M x 8 位), SPI接口, 5ns, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 MLP封装
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N25Q032A13EF640E
MLP
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32Mbit
SPI
8
4M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M
5ns
8Bit
6 x 5 x 0.85mm
5mm
-40 °C
85 °C
6mm
0.85mm
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N25Q512A11GSF40G
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157.62
Micron N25Q512A11GSF40G 闪存, 512Mbit (4M x 128 位), SPI接口, 5ns, 1.7 → 2 V, 16引脚 SOP封装
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N25Q512A11GSF40G
SOP
-
-
512Mbit
SPI
16
4M x 128 位
表面贴装
NOR
1.7 V
2 V
对称
4M
5ns
128Bit
10.3 x 7.5 x 2.5mm
7.5mm
-40 °C
85 °C
10.3mm
2.5mm
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149.91
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JS28F512M29EWLA
¥
149.91
Micron JS28F512M29EWLA 闪存, 512Mbit (32M x 16 位,64M x 8 位), 并行接口, 110ns, 2.7 → 3.6 V, 56引脚
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JS28F512M29EWLA
TSOP
-
-
512Mbit
并行
56
32M x 16 位,64M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
32M, 64M
110ns
8/16Bit
18.4 x 14 x 1mm
14mm
-40 °C
85 °C
18.4mm
1mm
-
-
-
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36.00
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型号
N25Q032A11ESE40F
¥
36.00
Micron N25Q032A11ESE40F 闪存, 32Mbit (4M x 8 位), SPI接口, 7ns, 1.7 → 2 V, 8引脚 SOIC W封装
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N25Q032A11ESE40F
SOIC W
-
-
32Mbit
SPI
8
4M x 8 位
表面贴装
NOR
1.7 V
2 V
对称
4M
7ns
8Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40 °C
85 °C
5.49mm
1.91mm
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JR28F064M29EWLA
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Micron JR28F064M29EWLA 闪存, 64Mbit (4M x 16 位,8M x 8 位), 并行接口, 70ns, 2.7 → 3.6 V, 48引脚
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JR28F064M29EWLA
TSOP
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64Mbit
并行
48
4M x 16 位,8M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M, 8M
70ns
8/16Bit
18.4 x 12 x 1mm
12mm
-40 °C
85 °C
18.4mm
1mm
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PC28F256M29EWLA
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71.70
Micron PC28F256M29EWLA 闪存, 256Mbit (16M x 16 位,32M x 8 位), 并行接口, 100ns, 2.7 → 3.6 V, 64引脚
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PC28F256M29EWLA
FBGA
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256Mbit
并行
64
16M x 16 位,32M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
16M, 32M
100ns
8/16Bit
11 x 13 x 1.4mm
13mm
-40 °C
85 °C
11mm
1.4mm
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N25Q032A13EF640F
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27.78
Micron N25Q032A13EF640F 闪存, 32Mbit (4M x 8 位), SPI接口, 7ns, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 MLP封装
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N25Q032A13EF640F
MLP
-
-
32Mbit
SPI
8
4M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M
7ns
8Bit
6 x 5 x 0.85mm
5mm
-40 °C
85 °C
6mm
0.85mm
-
-
-
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145.62
另提供行业标准包装
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型号
PC28F512M29EWLA
¥
145.62
Micron PC28F512M29EWLA 闪存, 512Mbit (32M x 16 位,64M x 8 位), 并行接口, 100ns, 2.7 → 3.6 V, 64引脚
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PC28F512M29EWLA
FBGA
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-
512Mbit
并行
64
32M x 16 位,64M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
32M, 64M
100ns
8/16Bit
11 x 13 x 1.4mm
13mm
-40 °C
85 °C
11mm
1.4mm
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51.09
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型号
N25Q064A11ESE40F
¥
51.09
Micron N25Q064A11ESE40F 闪存, 64Mbit (8M x 8 位), SPI接口, 7ns, 1.7 → 2 V, 8引脚 SOIC W封装
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N25Q064A11ESE40F
SOIC W
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64Mbit
SPI
8
8M x 8 位
表面贴装
NOR
1.7 V
2 V
对称
8M
7ns
8Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40°C
85°C
5.49mm
1.91mm
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28.26
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型号
M45PE16-VMW6G
¥
28.26
Micron M45PE16-VMW6G 闪存, 16Mbit (2M x 8 位), SPI接口, 5ns, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 SOIC封装
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M45PE16-VMW6G
SOIC
-
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16Mbit
SPI
8
2M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
2M
5ns
8Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40 °C
85 °C
5.49mm
1.91mm
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16.11
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型号
M25P40-VMN6PB
¥
16.11
Micron M25P40-VMN6PB 闪存, 4Mbit (512K x 8 位), SPI接口, 5ns, 2.3 → 3.6 V, 8引脚 SOIC封装
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M25P40-VMN6PB
SOIC
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4Mbit
SPI
8
512K x 8 位
表面贴装
NOR
2.3 V
3.6 V
对称
512K
5ns
8Bit
4.9 x 3.9 x 1.75mm
3.9mm
-40 °C
85 °C
4.9mm
1.75mm
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-
¥
162.36
另提供行业标准包装
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N25Q512A13GSF40G
¥
162.36
Micron N25Q512A13GSF40G 闪存, 512Mbit (4M x 128 位), SPI接口, 5ns, 2.7 → 3.6 V, 16引脚 SOP封装
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N25Q512A13GSF40G
SOP
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512Mbit
SPI
16
4M x 128 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M
5ns
128Bit
10.3 x 7.5 x 2.5mm
7.5mm
-40 °C
85 °C
10.3mm
2.5mm
-
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PC28F00AP33EFA
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Micron PC28F00AP33EFA 闪存, 1 Gbyte (64M x 16 位), 并行接口, 95ns, 2.3 → 3.6 V, 64引脚 EBGA封装
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PC28F00AP33EFA
EBGA
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1 Gbyte
并行
64
64M x 16 位
表面贴装
NOR
2.3 V
3.6 V
非对称、对称
64M
95ns
16Bit
10.1 x 8.1 x 1.2mm
8.1mm
-40 °C
85 °C
10.1mm
1.2mm
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Micron N25Q128A13ESE40G 闪存, 128Mbit (4M x 32 位), SPI接口, 5ns, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 SOIC W封装
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N25Q128A13ESE40G
SOIC W
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128Mbit
SPI
8
4M x 32 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M
5ns
32Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40 °C
85 °C
5.49mm
1.91mm
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Micron N25Q032A13ESE40G 闪存, 32Mbit (4M x 8 位), SPI接口, 5ns, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 SOIC W封装
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N25Q032A13ESE40G
SOIC W
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32Mbit
SPI
8
4M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M
5ns
8Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40 °C
85 °C
5.49mm
1.91mm
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Micron PC28F00AG18FE 闪存, 1 Gbyte (64M x 16 位), 并行接口, 96ns, 1.7 → 2 V, 64引脚 EBGA封装
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PC28F00AG18FE
EBGA
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1 Gbyte
并行
64
64M x 16 位
表面贴装
NOR
1.7 V
2 V
对称
64M
96ns
16Bit
10 x 8 x 1.2mm
8mm
-30 °C
85 °C
10mm
1.2mm
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Micron M25P16-VMN6P 闪存, 16Mbit (2M x 8 位), SPI接口, 5ns, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 SOIC封装
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M25P16-VMN6P
SOIC
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16Mbit
SPI
8
2M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
2M
5ns
8Bit
4.9 x 3.9 x 1.75mm
3.9mm
-40 °C
85 °C
4.9mm
1.75mm
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Micron N25Q128A13ESE40F 闪存, 128Mbit (16M x 8 位), SPI接口, 7ns, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 SOIC W封装
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N25Q128A13ESE40F
SOIC W
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128Mbit
SPI
8
16M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
16M
7ns
8Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40°C
85°C
5.49mm
1.91mm
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Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 1GB 200SODIMM
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DDR2 SDRAM
1GB
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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