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最低工作温度
最高工作温度
长度
高度
预计寿命
产品认证
原厂标准交货期
PC28F512G18FE
EBGA
-
-
512Mbit
并行
64
32M x 16 位
表面贴装
NOR
1.7 V
2 V
对称
32M
96ns
16Bit
10 x 8 x 1.2mm
8mm
-30 °C
85 °C
10mm
1.2mm
-
-
-
N25Q032A13EF640E
MLP
-
-
32Mbit
SPI
8
4M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M
5ns
8Bit
6 x 5 x 0.85mm
5mm
-40 °C
85 °C
6mm
0.85mm
-
-
-
N25Q512A11GSF40G
SOP
-
-
512Mbit
SPI
16
4M x 128 位
表面贴装
NOR
1.7 V
2 V
对称
4M
5ns
128Bit
10.3 x 7.5 x 2.5mm
7.5mm
-40 °C
85 °C
10.3mm
2.5mm
-
-
-
JS28F512M29EWLA
TSOP
-
-
512Mbit
并行
56
32M x 16 位,64M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
32M, 64M
110ns
8/16Bit
18.4 x 14 x 1mm
14mm
-40 °C
85 °C
18.4mm
1mm
-
-
-
N25Q032A11ESE40F
SOIC W
-
-
32Mbit
SPI
8
4M x 8 位
表面贴装
NOR
1.7 V
2 V
对称
4M
7ns
8Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40 °C
85 °C
5.49mm
1.91mm
-
-
-
JR28F064M29EWLA
TSOP
-
-
64Mbit
并行
48
4M x 16 位,8M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M, 8M
70ns
8/16Bit
18.4 x 12 x 1mm
12mm
-40 °C
85 °C
18.4mm
1mm
-
-
-
PC28F256M29EWLA
FBGA
-
-
256Mbit
并行
64
16M x 16 位,32M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
16M, 32M
100ns
8/16Bit
11 x 13 x 1.4mm
13mm
-40 °C
85 °C
11mm
1.4mm
-
-
-
N25Q032A13EF640F
MLP
-
-
32Mbit
SPI
8
4M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M
7ns
8Bit
6 x 5 x 0.85mm
5mm
-40 °C
85 °C
6mm
0.85mm
-
-
-
PC28F512M29EWLA
FBGA
-
-
512Mbit
并行
64
32M x 16 位,64M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
32M, 64M
100ns
8/16Bit
11 x 13 x 1.4mm
13mm
-40 °C
85 °C
11mm
1.4mm
-
-
-
N25Q064A11ESE40F
SOIC W
-
-
64Mbit
SPI
8
8M x 8 位
表面贴装
NOR
1.7 V
2 V
对称
8M
7ns
8Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40°C
85°C
5.49mm
1.91mm
-
-
-
M45PE16-VMW6G
SOIC
-
-
16Mbit
SPI
8
2M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
2M
5ns
8Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40 °C
85 °C
5.49mm
1.91mm
-
-
-
M25P40-VMN6PB
SOIC
-
-
4Mbit
SPI
8
512K x 8 位
表面贴装
NOR
2.3 V
3.6 V
对称
512K
5ns
8Bit
4.9 x 3.9 x 1.75mm
3.9mm
-40 °C
85 °C
4.9mm
1.75mm
-
-
-
N25Q512A13GSF40G
SOP
-
-
512Mbit
SPI
16
4M x 128 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M
5ns
128Bit
10.3 x 7.5 x 2.5mm
7.5mm
-40 °C
85 °C
10.3mm
2.5mm
-
-
-
PC28F00AP33EFA
EBGA
-
-
1 Gbyte
并行
64
64M x 16 位
表面贴装
NOR
2.3 V
3.6 V
非对称、对称
64M
95ns
16Bit
10.1 x 8.1 x 1.2mm
8.1mm
-40 °C
85 °C
10.1mm
1.2mm
-
-
-
N25Q128A13ESE40G
SOIC W
-
-
128Mbit
SPI
8
4M x 32 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M
5ns
32Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40 °C
85 °C
5.49mm
1.91mm
-
-
-
N25Q032A13ESE40G
SOIC W
-
-
32Mbit
SPI
8
4M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M
5ns
8Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40 °C
85 °C
5.49mm
1.91mm
-
-
-
PC28F00AG18FE
EBGA
-
-
1 Gbyte
并行
64
64M x 16 位
表面贴装
NOR
1.7 V
2 V
对称
64M
96ns
16Bit
10 x 8 x 1.2mm
8mm
-30 °C
85 °C
10mm
1.2mm
-
-
-
M25P16-VMN6P
SOIC
-
-
16Mbit
SPI
8
2M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
2M
5ns
8Bit
4.9 x 3.9 x 1.75mm
3.9mm
-40 °C
85 °C
4.9mm
1.75mm
-
-
-
N25Q128A13ESE40F
SOIC W
-
-
128Mbit
SPI
8
16M x 8 位
表面贴装
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
16M
7ns
8Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40°C
85°C
5.49mm
1.91mm
-
-
-
MT8HTF12864HY-53EA3
-
DDR2 SDRAM
1GB
533MT/s
200-SODIMM
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
对比栏

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