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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥13.53
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 40V 1A TO225AA
京电港自营
自营
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NPN
2N4921G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
40V
1A
30W
-65°C ~ 150°C（TJ）
600mV @ 100mA，1A
500µA
30 @ 500mA，1V
3MHz
¥0.45
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
京电港自营
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NPN
BC817-25LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
45V
500mA
300mW
-65°C ~ 150°C（TJ）
700mV @ 50mA，500mA
100nA（ICBO）
160 @ 100mA，1V
100MHz
¥40.11
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 10A TO247
京电港自营
自营
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NPN
TIP33CG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
100V
10A
80W
-65°C ~ 150°C（TJ）
4V @ 2.5A，10A
700µA
20 @ 3A，4V
3MHz
¥13.53
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP DARL 45V 4A TO225
京电港自营
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PNP - 达林顿
BD676AG
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
45V
4A
40W
-55°C ~ 150°C（TJ）
2.8V @ 40mA，2A
500µA
750 @ 2A，3V
-
¥5.25
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
京电港自营
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7 NPN 达林顿
NCV1413BDR2G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
50V
500mA
-
1.6V @ 500µA，350mA
-
1000 @ 350mA，2V
-
¥0.72
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT23
京电港自营
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650MHz
225mW
60 @ 4mA，10V
-
NPN
MMBTH10LT3G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥1.95
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 50V 100MA 3CP
京电港自营
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5LN01C-TB-E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
100mA（Ta）
1.5V，4V
-
1.57nC @ 10V
6.6pF @ 10V
250mW（Ta）
7.8 欧姆 @ 50mA，4V
表面贴装
3-CP
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥7.20
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 9A ECH8
京电港自营
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ECH8310-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta）
4V，10V
-
28nC @ 10V
1400pF @ 10V
1.5W（Ta）
17 毫欧 @ 4.5A，10V
表面贴装
8-ECH
8-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.27
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3.2A SC88
京电港自营
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NVJS4151PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.2A（Ta）
1.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
10nC @ 4.5V
850pF @ 10V
1.2W（Ta）
67 毫欧 @ 2.9A，4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥61.38
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 1200V 15A TO247
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NGTB15N120IHRWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
沟槽型场截止
1200V
30A
60A
2.5V @ 15V，15A
333W
340µJ（关）
标准
-/170ns
600V，15A，10 欧姆，15V
-40°C ~ 175°C（TJ）
¥2.16
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
60 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
250mW
-
SMUN5112DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥3.33
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 12V 2A SOT-23
京电港自营
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PNP
NSS12200LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
12V
2A
460mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
180mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
250 @ 500mA，2V
100MHz
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC114YDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥14.88
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 50V 10A TP
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NPN
2SC6017-E
-
通孔
TP
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
50V
10A
950mW
150°C（TJ）
360mV @ 250mA，5A
10µA（ICBO）
200 @ 1A，2V
200MHz
¥0.66
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 60V 500MA SOT23
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NPN
MMBTA05LT3G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
60V
500mA
225mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
250mV @ 10mA，100mA
100nA
100 @ 100mA，1V
100MHz
¥217.56
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 60V 50A TO3
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NPN - 达林顿
MJ11028G
-
通孔
TO-3
TO-204AE
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
60V
50A
300W
-55°C ~ 200°C（TJ）
3.5V @ 500mA，50A
2mA
1000 @ 25A，5V
-
¥48.93
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 250V 15A TO-3P
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PNP
NJW0302G
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3，SC-65-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
250V
15A
150W
-65°C ~ 150°C（TJ）
1V @ 500mA，5A
10µA（ICBO）
75 @ 3A，5V
30MHz
¥2.82
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT963
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2 NPN（双）
NSVT3904DP6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
40V
200mA
350mW
300mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
200MHz
¥3.21
IC AMP LN 12V 30MA MCPH3
京电港自营
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8GHz
350mW
60 @ 5mA，5V
30mA
NPN
MCH3007-TL-H
-
表面贴装
3-MCPH
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
150°C（TJ）
¥16.20
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 18.5A D2PAK
京电港自营
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NTB5605PT4G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
18.5A（Ta）
5V
2V @ 250µA
22nC @ 5V
1190pF @ 25V
88W（Tc）
140 毫欧 @ 8.5A，5V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周

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