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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
晶体管类型
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
BC807-25LT3G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
500mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
PNP
700mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
160 @ 100mA,1V
100MHz
SMMBT5551LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
160V
600mA
225mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
NPN
200mV @ 5mA,50mA
100nA
80 @ 10mA,5V
-
MJD210G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
25V
5A
1.4W
-65°C ~ 150°C(TJ)
PNP
1.8V @ 1A,5A
100nA(ICBO)
45 @ 2A,1V
65MHz
MMBT2907ALT3G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
60V
600mA
300mW
PNP
1.6V @ 50mA,500mA
10nA(ICBO)
100 @ 150mA,10V
200MHz
50V
80 @ 5mA,10V / 20 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
150mW
-
NSVUMC5NT2G
-
SC-88A(SC-70-5 / SOT-353)
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
¥43.98
自营
NTB6410ANT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
76A(Tc)
10V
4V @ 250µA
120nC @ 10V
4500pF @ 25V
188W(Tc)
13 毫欧 @ 76A,10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
¥27.96
自营
NTB6413ANT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
42A(Tc)
10V
4V @ 250µA
51nC @ 10V
1800pF @ 25V
136W(Tc)
28 毫欧 @ 42A,10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
SBC857CDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
45V
100mA
380mW
2 PNP(双)
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
100MHz
700MHz
625mW
40 @ 20mA,10V
100mA
BF959ZL1
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
带盒(TB)
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-55°C ~ 150°C(TJ)
NPN
MJB41CT4G
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
100V
6A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
NPN
1.5V @ 600mA,6A
700µA
15 @ 3A,4V
3MHz
MJL4302AG
-
通孔
TO-264
TO-264-3,TO-264AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
350V
15A
230W
-65°C ~ 150°C(TJ)
PNP
1V @ 800mA,8A
100µA
80 @ 5A,5V
35MHz
BDV64BG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
100V
10A
125W
-65°C ~ 150°C(TJ)
PNP - 达林顿
2V @ 20mA,5A
1mA
1000 @ 5A,4V
-
BC857BTT1G
-
表面贴装
SC-75,SOT-416
SC-75,SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
45V
100mA
200mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
PNP
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
220 @ 2mA,5V
100MHz
2SC3648S-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
160V
700mA
500mW
150°C(TJ)
NPN
400mV @ 25mA,250mA
100nA(ICBO)
100 @ 100mA,5V
120MHz
¥149.25
自营
NGTB50N60FWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
沟道
600V
100A
200A
1.7V @ 15V,50A
223W
1.1mJ(开),1.2mJ(关)
标准
117ns/285ns
400V,50A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 150°C(TJ)
50V
80 @ 5mA,10V / 120 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA / 500mV @ 5mA,50mA
500nA
140MHz
250mW
-
NSTB60BDW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
1 NPN 预偏压式,1 PNP
50V
80 @ 5mA,10V / 120 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA / 500mV @ 5mA,50mA
500nA
140MHz
250mW
-
NSTB60BDW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1 NPN 预偏压式,1 PNP
¥1.77
自营
3LN01M-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
150mA(Ta)
1.5V,4V
-
1.58nC @ 10V
7pF @ 10V
150mW(Ta)
3.7 欧姆 @ 80mA,4V
表面贴装
SC-70 / MCPH3
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.84
自营
ATP106-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
30A(Ta)
4.5V,10V
-
29nC @ 10V
1380pF @ 20V
40W(Tc)
25 毫欧 @ 15A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥3.27
自营
SCH1435-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
1.8V,4.5V
-
3.5nC @ 4.5V
265pF @ 10V
800mW(Ta)
89 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
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