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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
NTHS5443T1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.6A(Ta)
2.5V,4.5V
600mV @ 250µA
12nC @ 4.5V
-
1.3W(Ta)
65 毫欧 @ 3.6A,4.5V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
2 NPN(双)
NSVT3904DXV6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
40V
200mA
500mW
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
300MHz
24GHz
50mW
70 @ 5mA,1V
15mA
NPN
EC4H08C-TL-H
-
表面贴装
4-ECSP1008
4-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C(TJ)
PNP
MJD42C1G
-
通孔
I-Pak
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
100V
6A
1.75W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.5V @ 600mA,6A
50µA
15 @ 3A,4V
3MHz
NPN
BCW33LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
32V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
250mV @ 500µA,10mA
100nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
-
PNP - 达林顿
MJH11017G
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
150V
15A
150W
-65°C ~ 150°C(TJ)
4V @ 150mA,15A
1mA
400 @ 10A,5V
3MHz
¥74.79
自营
NGTB30N60IHLWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
沟槽型场截止
600V
60A
150A
2.3V @ 15V,30A
250W
280µJ(关)
标准
70ns/140ns
400V,30A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 150°C(TJ)
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
150mW
-
UMC2NT1G
-
SC-88A(SC-70-5 / SOT-353)
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC114TDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
NPN
BC846BM3T5G
-
表面贴装
SOT-723
SOT-723
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
65V
100mA
265mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
NPN - 达林顿
MJD44E3T4G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
80V
10A
1.75W
-55°C ~ 150°C(TJ)
2V @ 20mA,10A
10µA
1000 @ 5A,5V
-
NGB8207NT4G
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
365V
20A
50A
2.6V @ 4V,20A
165W
-
逻辑
-
-
-55°C ~ 175°C(TJ)
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5312DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA124XDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
NPN
SBC817-25LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
45V
500mA
300mW
-65°C ~ 150°C(TJ)
700mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
160 @ 100mA,1V
100MHz
NPN - 达林顿
BD675G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
45V
4A
40W
-55°C ~ 150°C(TJ)
2.5V @ 30mA,1.5A
500µA
750 @ 1.5A,3V
-
¥20.13
自营
NTMFS4923NET1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
12.7A(Ta),91A(Tc)
4.5V,10V
2V @ 250µA
22nC @ 4.5V
4850pF @ 15V
930mW(Ta),48W(Tc)
3.3 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥13.89
自营
SFT1342-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
12A(Ta)
4V,10V
-
26nC @ 10V
1150pF @ 20V
1W(Ta),15W(Tc)
62 毫欧 @ 6A,10V
表面贴装
TP-FA
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
NPN,PNP(耦合发射器)
CPH5524-TL-E
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
50V
3A
1.2W
240mV @ 100mA,2A
1µA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
380MHz
7GHz
200mW
135 @ 20mA,5V
70mA
NPN
2SC5227A-5-TB-E
-
表面贴装
3-CP
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
150°C(TJ)
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