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晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
京电港自营
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7 NPN 达林顿
MC1413DR2
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
50V
500mA
-
1.6V @ 500µA，350mA
-
1000 @ 350mA，2V
-
¥81.63
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 75V 68A TO-220F-3SG
京电港自营
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BMS3004-1E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
68A（Ta）
4V，10V
-
300nC @ 10V
13400pF @ 20V
2W（Ta），40W（Tc）
8.5 毫欧 @ 34A，10V
通孔
TO-220F-3SG
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
¥1.53
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 50V 130MA SOT-23
京电港自营
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BSS84LT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
130mA（Ta）
5V
2V @ 250µA
-
30pF @ 5V
225mW（Ta）
10 欧姆 @ 100mA，5V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥5.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 8.2A UDFN
京电港自营
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NTLUS3A18PZCTCG
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5.1A（Ta）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
28nC @ 4.5V
2240pF @ 15V
-
18 毫欧 @ 7A，4.5V
表面贴装
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥2.28
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
35 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
187mW
-
SMUN5311DW1T2G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥1.41
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23
京电港自营
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PNP
SBC856BLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
65V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
220 @ 2mA，5V
100MHz
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5236DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥14.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 300V 0.5A TO225AA
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PNP
MJE350G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
300V
500mA
20W
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
100µA（ICBO）
30 @ 50mA，10V
-
¥0.42
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 40V 0.6A SOT23
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NPN
MMBT4401LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
40V
600mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
750mV @ 50mA，500mA
-
100 @ 150mA，1V
250MHz
¥88.17
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 90V 30A TO3
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NPN
MJ802G
-
通孔
TO-3
TO-204AA，TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
90V
30A
200W
-65°C ~ 200°C（TJ）
800mV @ 750mA，7.5A
1mA（ICBO）
25 @ 7.5A，2V
2MHz
¥14.43
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 4A TO-225AA
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NPN
BD437G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
45V
4A
36W
-55°C ~ 150°C（TJ）
800mV @ 300mA，3A
100µA（ICBO）
85 @ 500mA，1V
3MHz
¥0.87
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
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NPN，PNP
SHN1B01FDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
50V
200mA
380mW
250mV @ 10mA，100mA
2µA
200 @ 2mA，6V
-
¥1.71
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPO 70MA 10V SSFP
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4.5GHz ~ 5.5GHz
250mW
100 @ 10mA，5V
70mA
NPN
55GN01FA-TL-H
-
表面贴装
3-SSFP
SC-81
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
150°C（TJ）
¥3.42
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 1.95A SOT23
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NVTR4502PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.13A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
200pF @ 15V
400mW（Tj）
200 毫欧 @ 1.95A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥22.08
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 20A TP-FA
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SFT1446-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
20A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
16nC @ 10V
750pF @ 20V
1W（Ta），23W（Tc）
51 毫欧 @ 10A，10V
表面贴装
TP-FA
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.87
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 0.915A SC89-3
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NVE4153NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
915mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.1V @ 250µA
1.82nC @ 4.5V
110pF @ 16V
300mW（Tj）
230 毫欧 @ 600mA，4.5V
表面贴装
SC-89
SC-89，SOT-490
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥74.79
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 600V 30A TO247
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NGTB30N60IHLWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
沟槽型场截止
600V
60A
150A
2.3V @ 15V，30A
250W
280µJ（关）
标准
70ns/140ns
400V，30A，10 欧姆，15V
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
160 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC114TDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.66
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 12V 1A SOT-723
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PNP
NSS12100M3T5G
-
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
12V
1A
625mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
410mV @ 100mA，1A
100nA（ICBO）
120 @ 500mA，2V
-
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5137DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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