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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPO 30MA 4V SSFP
京电港自营
自营
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10GHz ~ 12.5GHz
100mW
100 @ 5mA，1V
30mA
NPN
2SC5646A-TL-H
-
表面贴装
3-SSFP
SC-81
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
150°C（TJ）
¥128.07
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 1700V 2.5A
京电港自营
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WPH4003-1E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Tc）
10V
-
48nC @ 10V
850pF @ 30V
3W（Ta），55W（Tc）
10.5 欧姆 @ 1.5A，10V
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
¥2.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 8.2A UDFN
京电港自营
自营
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NTLUS3A18PZTCG
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5.1A（Ta）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
28nC @ 4.5V
2240pF @ 15V
700mW（Ta）
18 毫欧 @ 7A，4.5V
表面贴装
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥5.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 7.5A ECH8
京电港自营
自营
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ECH8315-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
7.5A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
18nC @ 10V
875pF @ 10V
1.5W（Ta）
25 毫欧 @ 3.5A，10V
表面贴装
SOT-28FL/ECH8
8-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.72
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
京电港自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
3 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5330DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5136DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.42
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 40V 0.6A SOT23
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NPN
MMBT2222ALT1G
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
40V
600mA
225mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
1V @ 50mA，500mA
10nA（ICBO）
100 @ 150mA，10V
300MHz
¥3.87
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 40V 3A DPAK
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NPN
MJD31T4G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
40V
3A
1.56W
-65°C ~ 150°C（TJ）
1.2V @ 375mA，3A
50µA
10 @ 3A，4V
3MHz
¥15.33
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP DARL 100V 4A TO225AA
京电港自营
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PNP - 达林顿
BD682G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
100V
4A
40W
-55°C ~ 150°C（TJ）
2.5V @ 30mA，1.5A
500µA
750 @ 1.5A，3V
-
¥1.02
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 50V 0.1A SOT-323
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NPN
MSD1819A-RT1G
-
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
50V
100mA
150mW
150°C（TJ）
500mV @ 10mA，100mA
100nA
210 @ 2mA，10V
-
¥65.37
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 350V 8A TO220AB
京电港自营
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PNP
MJE5851G
SWITCHMODE
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
350V
8A
80W
-65°C ~ 150°C（TJ）
5V @ 3A，8A
-
5 @ 5A，5V
-
¥5.16
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
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2 NPN（双）
NSV60101DMTWTBG
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
60V
1A
2.27W
180mV @ 100mA，1A
100nA（ICBO）
120 @ 500mA，2V
180MHz
¥10.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP
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3.5GHz
1.3W
90 @ 50mA，5V
300mA
NPN
2SC5551AE-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
150°C（TJ）
¥3.84
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 1A CPH3
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CPH3462-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
3.4nC @ 10V
155pF @ 20V
1W（Ta）
785 毫欧 @ 1A，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥9.96
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 14.5A DPAK
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NTD4804NT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
14.5A（Ta），124A（Tc）
4.5V，11.5V
2.5V @ 250µA
40nC @ 4.5V
4490pF @ 12V
1.43W（Ta），107W（Tc）
4 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.93
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 600V 0.25A SOT223-4
京电港自营
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NDTL01N60ZT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
250mA（Tc）
10V
4.5V @ 50µA
4.9nC @ 10V
92pF @ 25V
2W（Tc）
15 欧姆 @ 400mA，10V
表面贴装
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥76.62
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 20A 1200V TO-247
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NGTB20N120IHWG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
46 周
沟槽型场截止
1200V
40A
80A
2.65V @ 15V，20A
341W
480µJ（关）
标准
-/170ns
600V，20A，10 欧姆，15V
-40°C ~ 175°C（TJ）
¥2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC114YPDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
60 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA124EDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.78
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 0.8A SOT-23
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PNP
BCW68GLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
800mA
225mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
1.5V @ 30mA，300mA
20nA
120 @ 10mA，1V
100MHz

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