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产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
配置
铜端口
铜类型
光纤端口
光纤类型
SFP/XFP 端口
距离
MTU
连接器类型
侵入防护
类型
针脚或引脚数
间距配接
触头表面处理配接
触头表面处理厚度配接
触头材料配接
特性
端接
间距柱
触头表面处理柱
触头表面处理厚度柱
触头材料柱
外壳材料
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
原产地
原厂标准交货期
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
最大功率
最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
封装类型
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
频率
增益
电压测试
额定电流
噪声系数
电流测试
功率输出
电压额定
封装外壳
每片芯片元件数目
典型输入电阻器
最小直流电流增益
典型电阻比
最高工作温度
最低工作温度
尺寸
¥15.09
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 1A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX550
PNP
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
45V
250mV @ 15mA，150mA
100nA（ICBO）
100 @ 150mA，10V
1W
150MHz
通孔
-
16 周
¥5.40
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
京电港自营
自营
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MMBTA14-7-F
NPN - 达林顿
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
300mA
30V
1.5V @ 100µA，100mA
100nA（ICBO）
20000 @ 100mA，5V
300mW
125MHz
表面贴装
-
12 周
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 20V 4.5A SOT23-3
京电港自营
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ZXTN25020CFHTA
NPN
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
Digi-Reel® 得捷定制卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
4.5A
20V
140mV @ 450mA，4.5A
50nA（ICBO）
200 @ 10mA，2V
1.25W
185MHz
表面贴装
-
¥3.12
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT563
京电港自营
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BCM857BV-7
2 PNP（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
100mA
45V
400mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
357mW
175MHz
-
8 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V DFN1212-3
京电港自营
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DMP21D5UFD-7
X1-DFN1212-3
3-UDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，4.5V
1V @ 250µA
800nC @ 8V
46.1pF @ 10V
±8V
-
400mW（Ta）
1 옴 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
16 周
¥6.99
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
京电港自营
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DMN53D0LW-7
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
1.5V @ 100µA
1.2nC @ 10V
45.8pF @ 25V
±20V
-
320mW（Ta）
2 欧姆 @ 270mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
8 周
¥6.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
京电港自营
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ZXMN10A08GTA
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
2V @ 250µA
7.7nC @ 10V
405pF @ 50V
±20V
-
2W（Ta）
250 毫欧 @ 3.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
16 周
¥2.46
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6
京电港自营
自营
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BSS84DW-7-F
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
-
8 周
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
50V
130mA
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
45pF @ 25V
300mW
¥4.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
京电港自营
自营
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DMN3032LFDBQ-7
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
-
16 周
2 个 N 沟道（双）
标准
30V
6.2A
30 毫欧 @ 5.8A，10V
2V @ 250µA
10.6nC @ 10V
500pF @ 15V
1W
¥1.95
ROHM Semiconductor 晶体管 双极 阵列 预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
京电港自营
自营
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UMD12NTR
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
68 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW
UMT6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
10 周
¥2473.14
IMEDIA CHASSIS FOR IMCV CNVRTR
京电港自营
自营
收藏 暂时缺货
850-13100
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
模块化 - 机架
-
-
-
-
-
-
-
-
-
受控
SNMP 可管理
0°C ~ 50°C
iMcV
底座安装
-
4 周
¥1.59
ROHM Semiconductor 晶体管 双极 阵列 预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5
京电港自营
自营
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UMC3NTR
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
30 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
150mW
UMT5
5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
¥76.65
Infineon IRG4PH30KPBF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
京电港自营
精品 自营
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IRG4PH30KPBF
通孔
-
20 A
±20V
-
-
TO-247AC
N
3
-
单
15.9mm
5.3mm
20.3mm
¥328.02
Aries 用于IC的插座，晶体管 CONN IC DIP SOCKET ZIF 48POS TIN
京电港自营
自营
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48-6554-10
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DIP，ZIF（ZIP），0.6"（15.24mm）行距
48（2 x 24）
0.100"（2.54mm）
锡
200µin（5.08µm）
铜铍
封闭框架
焊接
0.100"（2.54mm）
锡
200µin（5.08µm）
铜铍
聚苯硫醚（PPS），玻璃纤维增强型
55
通孔
-
2 周
¥78.39
Infineon IRG4PC40UDPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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IRG4PC40UDPBF
通孔
-
40 A
±20V
-
-
TO-247AC
N
3
-
单
15.9mm
5.3mm
20.3mm
¥83.94
ON Semiconductor NGTG50N60FWG N沟道 IGBT, 100 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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NGTG50N60FWG
通孔
-
100 A
±20V
1
223 W
TO-247
N
3
1MHz
单
16.25mm
5.3mm
21.4mm
¥75.27
Infineon IRG4PC40FDPBF N沟道 IGBT, 49 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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IRG4PC40FDPBF
通孔
-
49 A
±20V
-
-
TO-247AC
N
3
-
单
15.9mm
5.3mm
20.3mm
¥0.93
Nexperia PDTD123ET NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
京电港自营
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收藏 暂时缺货
PDTD123ET
NPN
表面贴装
-
500 mA
SOT-23 (TO-236AB)
3
单
3mm
1.4mm
1mm
1
2.2 kΩ
40
1
150 °C
-65 °C
3 x 1.4 x 1mm
询价
IC AMP RF LNA 13.5DB S02
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NE3511S02-T1C-A
HFET
S02
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
12GHz
13.5dB
2V
70mA
0.3dB
10mA
-
4V
4-SMD，扁平引线
¥4.26
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS PNP 200MW SMT3
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DTA114GKAT146
PNP - 预偏压
50V
30 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
SMT3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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