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晶体管类型
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
类型
针脚或引脚数
间距配接
触头表面处理配接
触头表面处理厚度配接
触头材料配接
安装类型
特性
端接
间距柱
触头表面处理柱
触头表面处理厚度柱
触头材料柱
外壳材料
原产地
原厂标准交货期
配置
最大功率
最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
封装类型
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
产品认证
每片芯片元件数目
典型输入电阻器
最小直流电流增益
典型电阻比
最高工作温度
最低工作温度
尺寸
最大发射极基极电压
预计寿命
RoHS达标情况
最大集电极发射极电压
¥1.95
ROHM Semiconductor 晶体管 双极 阵列 预偏置 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
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IMB1AT110
-
2 个 PNP 预偏压式（双）
56 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
-
300mW
SMT6
SC-74，SOT-457
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥115.50
Fairchild Semiconductor FGH75T65UPD IGBT, 75 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AB封装
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FGH75T65UPD
通孔
-
75 A
±20V
-
375 W
TO-247AB
-
3
1MHz
单
15.87mm
4.82mm
20.82mm
¥1389.63
Aries 用于IC的插座，晶体管 CONN SOCKET PGA ZIF GOLD
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169-PRS13001-12
PRS
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
PGA，ZIF（ZIP）
-
0.100"（2.54mm）
金
30µin（0.76µm）
铜铍
通孔
封闭框架
焊接
0.100"（2.54mm）
锡
200µin（5.08µm）
铜铍
聚苯硫醚（PPS）
-
3 周
¥71.76
Infineon IRG4PC40KPBF N沟道 IGBT, 42 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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IRG4PC40KPBF
通孔
-
42 A
±20V
-
-
TO-247AC
N
3
-
单
15.9mm
5.3mm
20.3mm
¥72.90
ON Semiconductor NGTB30N135IHR1WG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1350 V, 3引脚 TO-247封装
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NGTB30N135IHR1WG
通孔
-
60 A
±20V
-
394 W
TO-247
N
3
-
单
16.25mm
5.3mm
21.4mm
¥1.83
Panasonic DRA5115T0L PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 100 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SMini3 F2 B封装
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新品 自营
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DRA5115T0L
PNP
表面贴装
-
100 mA
150 mW
SMini3 F2 B
3
单
2mm
1.25mm
0.8mm
1
100 kΩ
160
无
150 °C
2 x 1.25 x 0.8mm
¥49.71
Infineon IRGP6630DPBF N沟道 IGBT, 47 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
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IRGP6630DPBF
通孔
-
47 A
±20V
-
192 W
TO-247AC
N
3
8 → 30kHz
单
15.87mm
5.31mm
20.7mm
¥3.99
Panasonic DMC261040R 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 5引脚 Mini5 G3 B封装
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新品 自营
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DMC261040R
NPN
表面贴装
-
100 mA
300 mW
Mini5 G3 B
5
共发射极
2.9mm
1.5mm
1.1mm
2
10 kΩ
80
0.21
150 °C
2.9 x 1.5 x 1.1mm
¥35.76
CONN IC DIP SOCKET 14POS GOLD
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123-87-314-41-001101
123
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DIP，0.3"（7.62mm）行间距
14（2 x 7）
0.100"（2.54mm）
金
闪存
铜铍
通孔
开放框架
绕接线
0.100"（2.54mm）
锡
-
黄铜
聚对苯二甲酸二甲基环己酯（PCT），聚酯，玻璃纤维增强型
-
8 周
¥1.44
Infineon BCR08PNH6327 双 NPN PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 6引脚 SOT-363封装
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新品 自营
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BCR08PNH6327
NPN PNP
表面贴装
-
100 mA
250 mW
SOT-363
6
2mm
1.25mm
0.8mm
2
2.2 kΩ
70
0.047
150 °C
2 x 1.25 x 0.8mm
¥4.89
Nexperia PBRN123YT,215 NPN 数字晶体管, 700 mA, Vce=40 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.22, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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新品 自营
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PBRN123YT,215
NPN
表面贴装
-
700 mA
SOT-23 (TO-236AB)
3
单
3mm
1.4mm
1mm
1
2.2 kΩ
300
0.22
150 °C
-65 °C
3 x 1.4 x 1mm
¥8.07
STMicroelectronics ULN2004A NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=50 V, HFE=1000, 16引脚 PDIP封装
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ULN2004A
通孔
-
0.5 A
PDIP
16
共发射极
20 mm
7.1 mm
5.1 mm
85 °C
-20 °C
20 x 7.1 x 5.1 mm
7
-
-
¥3.27
新产品STMicroelectronics MJD122T4 NPN 达林顿晶体管对, 16 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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新品 自营
收藏 暂时缺货
MJD122T4
表面贴装
-
16 A
DPAK (TO-252)
3
单
6.6 mm
6.2 mm
2.4 mm
150 °C
-65 °C
6.6 x 6.2 x 2.4 mm
1
-
-
¥5.67
新产品ON Semiconductor BD679AG NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=80 V, HFE=750, 3引脚 TO-225封装
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新品 自营
收藏 暂时缺货
¥938.55
Infineon FS50R07W1E3_B11A IGBT 模块, 共集电极, 70 A, Vce=650 V, 26引脚 EASY1B封装
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FS50R07W1E3_B11A
-
PCB（印刷电路板）安装
-
-
共集电极
205 W
70 A
±20V
EASY1B
N
26
1MHz
3 相
48 mm
33.8 mm
12mm
-
150 °C
-40 °C
48 x 33.8 x 12 mm
-
650 V
¥9.72
ON Semiconductor BD681G NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-225封装
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BD681G
通孔
-
4 A
TO-225
3
单
7.74 mm
2.66 mm
11.04 mm
150 °C
-55 °C
7.74 x 2.66 x 11.04 mm
1
-
-
¥1053.18
Vishay VS-CPV364M4UPBF IGBT 模块, 共集电极, 20 A, Vce=600 V, 13引脚 IMS-2封装
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VS-CPV364M4UPBF
-
通孔
-
-
共集电极
20 A
±20V
IMS-2
N
13
3 相
62.43 mm
7.87 mm
21.97mm
-
150 °C
-40 °C
62.43 x 7.87 x 21.97 mm
-
600 V
¥2077.53
Infineon FD300R12KE3 IGBT 模块, 480 A, Vce=1200 V, 7引脚 62MM 模块封装
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FD300R12KE3
-
面板安装
-
-
单
1.47 kW
480 A
±20V
62MM 模块
N
7
1MHz
单
106.4 mm
61.4 mm
30.9mm
-
125 °C
-40 °C
106.4 x 61.4 x 30.9 mm
-
1200 V
¥556.47
Semikron SK 20 MLI 066 IGBT 模块, 串行, 30 A, Vce=600 V, 36引脚 SEMITOP3封装
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SK 20 MLI 066
-
通孔
-
-
串行
30 A
±20V
SEMITOP3
N
36
串行
55 mm
31 mm
15.43mm
-
175 °C
-40 °C
55 x 31 x 15.43 mm
-
600 V
¥22.83
Infineon IKP06N60T N沟道 IGBT, 6 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
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IKP06N60T
通孔
-
6 A
±20V
-
88 W
TO-220
N
3
-
单
10.36mm
4.57mm
15.95mm

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